編號(hào)：CPJS01326
篇名：ATO粉體的制備工藝及其導(dǎo)電性能的研究
作者：尹大鵬； 朱協(xié)彬； 汪海濤；
關(guān)鍵詞：粉體； ATO； 化學(xué)共沉淀法； 電導(dǎo)率；
機(jī)構(gòu)： 安徽工程大學(xué)安徽省高性能有色金屬材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 以SnCl4·5H2O和SbCl3為原料,采用化學(xué)共沉淀法制備納米ATO粉體,考察了pH值、氨水體積比、銻的摻雜量、煅燒溫度及煅燒時(shí)間對(duì)粉體導(dǎo)電性能的影響.運(yùn)用DDS-12A型數(shù)顯電導(dǎo)率儀測(cè)試了ATO粉體的電導(dǎo)率,運(yùn)用了X射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）等測(cè)試方法對(duì)粉體的晶型、粒徑及形貌進(jìn)行了表征.研究結(jié)果表明,氨水體積比為1:3,pH值為8,煅燒溫度600℃,煅燒時(shí)間4h時(shí)所制備的納米ATO粉體電導(dǎo)率值最大,即導(dǎo)電性能最佳.
