編號(hào)：FTJS03055
篇名：SiO_2-CeO_2復(fù)合氧化物對(duì)硅片的拋光性能評(píng)價(jià)
作者：柴明霞； 周雪珍；
關(guān)鍵詞：二氧化硅-氧化鈰復(fù)合氧化物； 硅片； 拋光； 稀土；
機(jī)構(gòu)： 青海大學(xué)應(yīng)用化學(xué)系； 南昌大學(xué)稀土與微納功能材料研究中心；
摘要： 用合成的S iO2-CeO2復(fù)合氧化物對(duì)單晶硅片進(jìn)行拋光,測(cè)定其拋光速率與制備條件及漿料配制條件之間的關(guān)系。結(jié)果表明:經(jīng)800℃煅燒后制得的硅鈰摩爾比nS iO2∶nCeO2為2∶1的復(fù)合氧化物對(duì)硅片具有最大的拋蝕速率。與此同時(shí),選用三乙醇胺和六偏磷酸鈉分別作為漿料的pH調(diào)節(jié)劑和分散劑可以獲得理想的漿料分散性和懸浮穩(wěn)定性。確定了拋光漿料的最佳pH值和固含量分別為11和4%。
