編號：FTJS03111
篇名：Dy摻雜對ZnSe薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
作者：吳蓉； 李蓉萍； 何志剛； 安曉暉； 李忠賢；
關(guān)鍵詞：ZnSe薄膜； 微結(jié)構(gòu)； 真空蒸發(fā)； 摻雜；
機(jī)構(gòu)： 內(nèi)蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院內(nèi)蒙古自治區(qū)高等學(xué)校半導(dǎo)體光伏技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 利用真空蒸發(fā)的方法制備ZnSe多晶薄膜,并采用雙源法對薄膜進(jìn)行了Dy的摻雜。用XRD、紫外可見分光光度儀對薄膜的性質(zhì)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,當(dāng)Zn、Se原子配比為0.9∶1時可制備較理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Dy摻雜并未改變樣品的物相結(jié)構(gòu),但摻雜使薄膜的晶格常數(shù)及晶胞體積略有增大,還使得薄膜的晶粒尺寸及壓應(yīng)力變小,摻雜后薄膜的光透射性得到改善。
