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KH-550硅烷偶聯(lián)劑對(duì)半導(dǎo)體制造用碳化硅粉體表面的改性研究

編號(hào):FTJS03151

篇名:KH-550硅烷偶聯(lián)劑對(duì)半導(dǎo)體制造用碳化硅粉體表面的改性研究

作者:李星; 鐵生年;

關(guān)鍵詞:碳化硅; 表面改性; 硅烷偶聯(lián)劑; 分散性;

機(jī)構(gòu): 青海大學(xué)非金屬材料研究所;

摘要: 采用KH-550硅烷偶聯(lián)劑對(duì)SiC粉體進(jìn)行改性,研究了影響SiC粉體改性的各種因素,從而確定出改性最佳工藝參數(shù),并對(duì)制備的改性粉體進(jìn)行表征,分析了改性對(duì)SiC料漿分散穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,SiC微粉經(jīng)偶聯(lián)劑處理后沒有改變?cè)糞iC微粉的物相結(jié)構(gòu),只是改變了其在水中的膠體性質(zhì);微粉團(tuán)聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生很大變化,Zeta電位值顯著提高,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善。

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