編號：CPJS01494
篇名：應用于等離子體顯示器的鋁電極及其介質(zhì)層制備研究
作者：劉啟發(fā)； 王艷； 汪紅； 丁桂甫；
關鍵詞：等離子體顯示器； 尋址電極； 氧化鋁介質(zhì)層； 磁控濺射； 陽極氧化
機構(gòu)： 上海交通大學微納科學技術研究院微米/納米加工技術國家級重點實驗室薄膜與微細技術教育部重點實驗室；
摘要： 提出用鋁取代銀作為尋址電極,氧化鋁取代玻璃粉作為其上介質(zhì)層的新型等離子體顯示器(PDP)電極單元,對單項工藝進行了優(yōu)化,并形成了完整可行的整體工藝路線,有望為PDP生產(chǎn)成本的降低提供一條新的技術途徑。選用非連續(xù)磁控濺射和光刻-刻蝕工藝制備鋁電極,陽極氧化工藝制備氧化鋁介質(zhì)層。用掃描電子顯微鏡對鋁膜、氧化鋁介質(zhì)層及電極單元的整體形貌進行了表征;分別對所制備的鋁電極的導電性能和氧化鋁介質(zhì)層的耐擊穿性能進行了測定,結(jié)果表明在優(yōu)化的實驗條件下鋁電極電阻率可以達到5.0×10-8Ω·m,氧化鋁耐擊穿強度大于100 V/μm,完全可以滿足實際應用的技術要求。
