編號(hào)：CPJS01500
篇名：石墨表面化學(xué)氣相沉積SiC及C涂層的制備
作者：王春雨； 王鑫宇； 唐才宇； 溫廣武；
關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積(CVD)； 石墨基體； C涂層； SiC涂層； 顯微組織；
機(jī)構(gòu)： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(威海)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 以C3H8和CH3SiCl3(MTS)為先驅(qū)體原料,用化學(xué)氣相沉積法在石墨基體表面分別制備了C涂層、SiC涂層。采用X射線衍射儀和掃描電鏡分析了兩種涂層的成分和表面微觀形貌,研究了溫度和氣體流量對(duì)涂層微觀形貌的影響。結(jié)果表明,當(dāng)C3H8+N2流量為140 L/h,沉積溫度為1300℃時(shí),石墨基體表面可獲得致密度較高的C涂層,而且涂層比較平整、均勻,而流量為160 L/h時(shí)涂層比較粗糙。當(dāng)MTS+H2流量為60 L/h、沉積溫度1100℃時(shí)在石墨基體表面可以形成致密的SiC涂層,1300℃時(shí)生長(zhǎng)的SiC晶體形貌發(fā)生改變,涂層厚度增加,表面有較多圓形凸起。當(dāng)MTS-H2氣體流量增大可使SiC涂層晶粒尺寸增大,但大流量易產(chǎn)生涂層剝落。采用C和SiC共沉積涂層作過(guò)渡層,涂層與石墨基體界面結(jié)合增強(qiáng);SiC涂層與石墨基體之間存在厚度較大的過(guò)渡區(qū)域,過(guò)渡區(qū)域平均厚度約2μm。
