編號：FTJS03200
篇名：化學爐燃燒合成Al4SiC4粉體的絕熱燃燒溫度計算與實驗研究
作者：李學超； 宋月鵬； 李江濤； 陳義祥； LEE Chong Soo； KIM Hyoung Seop；
關鍵詞：鋁碳化硅粉體； 絕熱燃燒溫度； 化學爐； 燃燒合成；
機構： 山東農(nóng)業(yè)大學機械與電子工程學院； Department of Materials Science and Engineering,Pohang University of Science and Te
摘要： 根據(jù)熱力學基本原理,采用計算機數(shù)值計算,對化學爐燃燒合成的鋁碳化硅(Al4SiC4)粉體的絕熱燃燒溫度進行數(shù)值計算。結果表明:常溫下Al–Si–C體系的絕熱燃燒溫度僅為1 300 K;只有當預熱溫度在930 K以上時,才可以實現(xiàn)自蔓延燃燒。Al–Si–C體系的燃燒合成將分步進行,首先生成中間產(chǎn)物Al4C3和SiC,而后由其形成最終產(chǎn)物Al4SiC4。通過體系中添加過量石墨,利用Ti–Si體系化學爐,燃燒合成出粒度均勻且純度較高的Al4SiC4粉體,根據(jù)實驗檢測并結合絕熱燃燒溫度計算結果,分析了石墨過量對產(chǎn)物Al4SiC4粉體純度的影響。
