編號(hào)：NMJS03055
篇名：離子液體[EMIM][PF_6]負(fù)載納米SiO_x表面的熔點(diǎn)及結(jié)構(gòu)
作者：劉玉勝； 付海英； 唐忠鋒； 黃衛(wèi)； 吳國忠；
關(guān)鍵詞：納米SiO_x； 離子液體； 熔點(diǎn)； 相變；
機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所； 徐州工程學(xué)院；
摘要： 制備了離子液體（1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸[EMIM][PF6]）負(fù)載量不同的孔納米氧化硅（SiOx）,并采用差式掃描量熱分析（DSC）、X射線衍射（XRD）、激光Raman光譜、傅里葉變換紅外（FTIR）光譜分析等手段研究離子液體負(fù)載納米氧化硅后的熔點(diǎn)變化及相行為.研究表明負(fù)載于納米氧化硅表面的離子液體熔點(diǎn)明顯下降,且負(fù)載于不同表面羥基含量的氧化硅表面熔點(diǎn)下降幅度不同。純離子液體[EMIM][PF6]熔點(diǎn)為62℃,在納米氧化硅表面負(fù)載量為35%時(shí)熔點(diǎn)為52℃,比負(fù)載前下降10℃;負(fù)載于另兩種不同羥基含量的納米氧化硅表面后熔點(diǎn)分別下降20和17℃.而同一種納米氧化硅(比表面積為640 m2·g-1)和負(fù)載量小于50%時(shí),熔點(diǎn)下降明顯;進(jìn)一步增大負(fù)載量,熔點(diǎn)逐漸趨于本體.XRD和Raman光譜分析顯示,離子液體負(fù)載于氧化硅表面后基衍射峰或吸收峰相對(duì)強(qiáng)度發(fā)生明顯改變,分析負(fù)載前后納米氧化硅的結(jié)構(gòu)變化,推斷離子液體熔點(diǎn)下降的主要原因是離子液體分子與納米氧化硅表面之間存在強(qiáng)烈的界面相互作用,而表面羥基的密度及比表面積是影響負(fù)載后[EMIM][PF6]離子液體相行為的主要因素.
