編號：NMJS03080
篇名：表面粗糙化來提高SiO_2中納米硅的拉曼強度
作者：張有為； 畢大煒； 公祥南； 邊惠； 萬里； 唐東升；
關鍵詞：納米硅； 拉曼散射； 聲子限制；
機構： 浙江溫州大學物理與電子信息工程學院； 信息功能材料國家重點實驗室(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所)； 低維量子結構與調控教育部重點實驗室(湖南師范大學)；
摘要： 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下觀察到SiO2中注入硅離子形成納米硅的拉曼散射特征峰.運用聲子限制模型對納米硅的特征峰進行曲線擬合,得到納米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.這個結果與透射電子顯微鏡直接觀測的納米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一個非常有效的方法來提高拉曼散射強度,從而方便地研究納米硅的拉曼特征,不會對納米硅的物理性質發(fā)生影響.
