編號：NMJS03132
篇名：鎳間隙摻雜硅納米線電子結構的研究
作者：梁偉華； 王秀麗； 丁學成； 褚立志； 鄧澤超； 郭建新； 傅廣生； 王英龍；
關鍵詞：硅納米線； 摻雜； 電子性質； 第一性原理；
機構： 河北大學物理科學與技術學院；
摘要： 采用基于密度泛函理論的第一性原理的方法,對[100]方向鎳間隙摻雜硅納米線結構的穩(wěn)定性和電子性質進行了計算。計算結果表明Ni原子更喜歡占據(jù)硅納米線內部六角形間隙位置;摻雜體系費米能級附近的電子態(tài)密度來源于Ni3d態(tài)電子的貢獻;同時發(fā)現(xiàn)不同構型的Ni摻雜硅納米線,其帶隙不同,且與未摻雜硅納米線相比,帶隙普遍減小。
