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該團(tuán)隊利用高溫液相法，實現(xiàn)了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶

碳化硅外延石墨烯是制備石墨烯基器件的優(yōu)選方案

了解SiC單晶生長用高純碳化硅粉體合成工藝。

2月27日，據(jù)外媒報道，Meta首款A(yù)R眼鏡預(yù)計將于今年秋天發(fā)布，這款A(yù)R眼鏡采用碳化硅（SiC）鏡片。

碳化硅單晶生長用高純SiC粉料，其合成有哪些因素影響？

六方半導(dǎo)體聚焦碳化硅涂層技術(shù)，突破國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)了碳化硅涂層產(chǎn)品在半導(dǎo)體領(lǐng)域的部分國產(chǎn)替代。

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶晶錠。

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)爍科晶體總經(jīng)理助理馬康夫?qū)ＴL

越是高端的先進(jìn)陶瓷原材料，越要自己研發(fā)生產(chǎn)

邀請到天津理工大學(xué)功能晶體研究院徐永寬副院長做客對話欄目。

“四高兩涂”將不斷為SiC單晶生產(chǎn)鏈提供高純原料和耗材的配備。

由于PVT法在制造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰(zhàn)，液相法重新引起了業(yè)界的關(guān)注。

SiC晶體生長的主要技術(shù)包括物理氣相輸運（PVT）法、高溫化學(xué)氣相沉積（ HTCVD）法，以及頂部籽晶溶液生長（TSSG）法。

SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中較有前景的材料之一。

天岳先進(jìn)不斷追求更高的晶體質(zhì)量和加工質(zhì)量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應(yīng)6英寸產(chǎn)品8英寸產(chǎn)品正在研發(fā)中基本信息導(dǎo)電型晶型4H直徑（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面狀態(tài)Epi-ready

根據(jù)客戶生產(chǎn)的碳化硅晶體類型，可以提供原材料的定制服務(wù)，晶體原材料的規(guī)格和技術(shù)要求，請與我公司銷售部門聯(lián)系。

碳化硅單晶生長爐主要應(yīng)用于生長6英寸N型及半絕緣碳化硅單晶襯底。碳化硅單晶具有高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性、低熱膨脹、高飽和電子漂移率等優(yōu)點，在白光高效照明、電力輸送與轉(zhuǎn)換、耐高溫電力電子器件等民用領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，同時在雷達(dá)通訊、航空母艦、艦舶等軍事領(lǐng)域可提高軍事電子系統(tǒng)和武器裝備的性能，有著明確應(yīng)用背景。

高純硅粉呈金屬光澤質(zhì)地、銀灰色粉末狀高質(zhì)量工業(yè)原材料。硅含量99.9%-99.9999%，又稱3N-6N。我公司在福建永安擁有高純硅粉研發(fā)中心，主要從事金屬硅粉、高純硅粉3N～6N（99.9%-99.9999%）的研發(fā)和生產(chǎn)，致力于提供低成本、高品質(zhì)、低能耗的綠色環(huán)保硅材料，在硅材料領(lǐng)域擁有豐富的生

高純硅粉CX-S1高純硅粉純度高（4N），雜質(zhì)含量低，粒度分布均勻，可應(yīng)用于電子封裝、電氣絕緣、電子元器件以及超大規(guī)模集成電路、高性能陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、航空航天、汽車等領(lǐng)域。