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M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格
M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

M-3

品牌

晶格電子

產(chǎn)地

江蘇蘇州

樣本

暫無(wú)
蘇州晶格電子有限公司

金牌會(huì)員

|

第5年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 靈敏度:

  • 分辨率:

    0.5%
  • 重現(xiàn)性:

  • 儀器原理:

    電阻式計(jì)數(shù)
  • 分散方式:

    無(wú)
  • 測(cè)量時(shí)間:

    1年
  • 測(cè)量范圍:

    0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm
  • 探測(cè)器:

    無(wú)
  • 加速電壓:

    勻速
  • 電子槍?zhuān)?/p>無(wú)

  • 電子光學(xué)放大:

    無(wú)
  • 光學(xué)放大:

    無(wú)
  • 通道數(shù):

    無(wú)
  • 誤差率:

    0.5%
  • 波長(zhǎng)準(zhǔn)確度:

    無(wú)
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、結(jié)構(gòu)特征

圖片1.jpg M3手持式四探針測(cè)試儀主機(jī)          配ST2253-F01鎢針探頭測(cè)試硅片                  配ST2558B-F01薄膜探頭測(cè)試ITO膜

 

二、概述

2.1基本功能和依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):

  M3手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試材料電阻率/方塊電阻的多用途、高性價(jià)比測(cè)量?jī)x器。

該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā返葒?guó)標(biāo)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

    2.2配套組成:標(biāo)準(zhǔn)配置由M-3型主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測(cè)試臺(tái)當(dāng)臺(tái)式機(jī)使用。

2.3優(yōu)勢(shì)特征:

1美觀適用:彩色流線型手持式面板、帶防滑墊,符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì)。適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用,也可以定制小型旅行手提箱包裝,便于野外或旅行使用。

2高精度:帶完善厚度、形狀修正功能,測(cè)試準(zhǔn)確。同行中手持式多為簡(jiǎn)易程序,沒(méi)有完整修正功能,無(wú)法修正誤差。

3寬量程:超寬五個(gè)檔位,相當(dāng)于中檔臺(tái)式機(jī)的量程,同行中手持式多為兩到三個(gè)檔位,測(cè)試范圍有限,適應(yīng)性不廣。

4操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定:輕觸數(shù)字化鍵盤(pán)實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換,簡(jiǎn)便而且免除模擬定位器的不穩(wěn)定易受干擾。

5手動(dòng)/自動(dòng)一體化:

6顯示方式美觀清晰:由高亮綠色數(shù)碼和LED數(shù)字表頭顯示,不怕環(huán)境背景暗或野外強(qiáng)光;

7待機(jī)和工作時(shí)間長(zhǎng)(不小于兩天),有大容量可充電鋰電池電池供電,環(huán)保耐用。

2.4探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。詳情見(jiàn)《四探針探頭型號(hào)規(guī)格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭,如ST2253-F01型,以測(cè)試硅等半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類(lèi)等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭,如ST2558B-F01型,可測(cè)金屬箔、碳紙等導(dǎo)電薄膜,也可測(cè)陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導(dǎo)電涂層膜,如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。

3配專(zhuān)用箔上涂層探頭,如ST2558B-F02型,也可測(cè)試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。

4換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器的體電阻進(jìn)行測(cè)量。

2.5測(cè)試臺(tái)選配:根據(jù)不同材料特性需要,測(cè)試臺(tái)可有多款選配。詳情見(jiàn)《四探針測(cè)試臺(tái)型號(hào)規(guī)格特征選型參照表

四探針?lè)y(cè)試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型(電動(dòng))或SZT-C型(快速恒壓)測(cè)試臺(tái)。

二探針?lè)y(cè)試細(xì)長(zhǎng)棒類(lèi)材料選配SZT-K型測(cè)試臺(tái).

平行四刀法測(cè)試橡塑材料配SZT-G型測(cè)試臺(tái)。

2.6適用范圍:手持式使用,儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針?lè)▽?duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類(lèi)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。 

。

三、基本技術(shù)參數(shù)

1.測(cè)量范圍、分辨率

電    阻:     0.010Ω~ 50.00kΩ,     分辨率0.001Ω~ 10 Ω

電 阻 率:     0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm, 分辨率0.001Ω~ 10 Ω-cm

方塊電阻:     0.050Ω/□ ~ 100.00kΩ/□   分辨率0.001Ω~ 10 Ω/□

2.可測(cè)材料尺寸

手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下:

直    徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。

SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。

長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.

測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.

 

3.量程劃分及誤差等級(jí)(括號(hào)內(nèi)為拓展量程)

量程(Ω-cm/□)

2.000

(200.0m)

20.00

(2.000m)

200.0

(20.00)

2.000k

(200.0)

20.00k

(2.000k)

電阻測(cè)試范圍

0.010~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~50.00k

電阻率/方阻

0.010/0.050~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~20.00k/100.0k

基本誤差

±1%FSB±2LSB

±2%FSB±2LSB

4)充電器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電DC3.7V.

5)外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重:≤0.3kg

注:該儀器未取得中華人民共和國(guó)醫(yī)療器械注冊(cè)證,不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途


聯(lián)系人:王經(jīng)理

聯(lián)系電話:13656 225155

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

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易用性

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性價(jià)比

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