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ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀
ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

ST2263型

品牌

晶格電子

產(chǎn)地

蘇州

樣本

暫無
蘇州晶格電子有限公司

金牌會(huì)員

|

第5年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 誤差率:

    0.5%
  • 波長(zhǎng)準(zhǔn)確度:

    -
  • 靈敏度:

  • 分辨率:

    0.5%
  • 重現(xiàn)性:

    -
  • 儀器原理:

    電阻式計(jì)數(shù)
  • 分散方式:

    -
  • 測(cè)量時(shí)間:

    -
  • 測(cè)量范圍:

    10.0×10^-4 ~ k×200.0×10^3 Ω-cm
  • 探測(cè)器:

    -
  • 加速電壓:

    -
  • 電子槍:

    -
  • 電子光學(xué)放大:

    -
  • 光學(xué)放大:

    -
  • 通道數(shù):

    -
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ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀

--9.png


二、概述

     ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改進(jìn)形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

     儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等部分組成。

     主機(jī)主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入;具有零位、滿度自校功能;測(cè)試功能可自動(dòng)/手動(dòng)方式;儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作完成,也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上獨(dú)立操作完成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示,也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打印!

     探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。

     測(cè)試臺(tái)選配:一般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測(cè)試臺(tái)。

     儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

     儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

三、基本技術(shù)參數(shù)

3.1  測(cè)量范圍

    電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

    電  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)

    直    徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限

    SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限.

    長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表:

    (1)量程: 20.00mV~2000mV

    (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字

3.4  數(shù)控恒流源

   (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA,1A

   (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字

3.5  四探針探頭(選配其一或加配全部)

   (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)

   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調(diào)

3.6 電源

   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗:<20W

3.7 外形尺寸:

   主機(jī)  220mm(長(zhǎng))×245 mm(寬)×100mm(高)


聯(lián)系人:王經(jīng)理

聯(lián)系電話:13656 225155

微信:13656 225155

客服經(jīng)理-王娟.jpg




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該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

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