參考價格
60-70萬元型號
PMST-3500V品牌
普賽斯儀表產地
武漢樣本
暫無誤差率：
0.1%分辨率：
100pA重現性：
無儀器原理：
圖像分析分散方式：
數字測量時間：
s測量范圍：
漏電流測試范圍1nA~100mA看了IGBT靜態(tài)測試設備的用戶又看了
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IGBT簡介：
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。
IGBT測試難點：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數的測試。
IGBT靜態(tài)測試設備認準武漢生產廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數測試系統可以完成多項參數測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。
IGBT靜態(tài)測試設備應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。
數字源表測試氣體傳感器方案利用數字源表源（SMU）設備進行氣體傳感器電性能測試 I-V測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應。根據待測器件（DUT）的不同，信號電平可能相
2022-11-04
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