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IGBT靜態(tài)測試設備
IGBT靜態(tài)測試設備

參考價格

60-70萬元

型號

PMST-3500V

品牌

普賽斯儀表

產(chǎn)地

武漢

樣本

暫無
武漢普賽斯儀表有限公司

會員

|

第3年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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核心參數(shù)
  • 誤差率:

    0.1%
  • 分辨率:

    100pA
  • 重現(xiàn)性:

  • 儀器原理:

    圖像分析
  • 分散方式:

    數(shù)字
  • 測量時間:

    s
  • 測量范圍:

    漏電流測試范圍1nA~100mA
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IGBT簡介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中,如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點,IGBT是電力電子設備的“cpu”,被國家列為重點研究對象。


IGBT測試難點:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下,自加熱效應明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應,所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要,需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。


IGBT靜態(tài)測試設備認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

IGBT靜態(tài)測試設備應用

     功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



創(chuàng)新點

普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景。

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電子/通訊

2022-11-04

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