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四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐
四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐

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品牌

產(chǎn)地

日本

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暫無
量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

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四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐

日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐,采用電弧放電的高溫材料合成方法,非常適合生長(zhǎng)化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點(diǎn)極高(一般在3000攝氏度左右)的金屬間化合物,包括含有稀土元素(或者金屬鈾)的二元及四元金屬間化合物,例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金單晶。生長(zhǎng)的過程中,原料放在旋轉(zhuǎn)的銅坩堝中,四個(gè)電極同時(shí)放電形成高溫熔化原料,精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。樣品室的真空度可達(dá)10-6托,也可以充入保護(hù)性氣體。

產(chǎn)品特點(diǎn)

* 采用四電弧法加熱

* 可實(shí)現(xiàn)3000°C高溫

* 適用于金屬間化合物材料

基本參數(shù)

樣品腔:

**溫度:3000℃

氣氛:Ar

工作壓強(qiáng):5x10-6 Torr~1.1Atm

真空度:10-6 Torr

尺寸:直徑208*300H

材料:不銹鋼

冷卻:水冷

提拉棒:

提拉生長(zhǎng)速度:0.1-39mm/hr

轉(zhuǎn)動(dòng)速度:0-10rpm

行程:150mm

坩堝:

轉(zhuǎn)動(dòng)速度:0-10rpm

行程:20mm

電弧電流:

樣品:25/30A(可調(diào))

真空吸氣劑:25/30A(可調(diào))

爐體:

重量:350Kg

尺寸:600W*700D*2155H

工作原理圖

發(fā)表文章

1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.

2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).

國內(nèi)用戶單位

北京大學(xué)

中科院物理所

復(fù)旦大學(xué)

國外用戶單位

Tokyo University

Okayama University

Osaka University

University of California San Diego

University of Maryland

Vienna University of Technology

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售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
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四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐信息由量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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