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電弧等離子體沉積系統(tǒng)
日本ADVANCE RIKO公司致力于電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導材料離子化，產生高能離子并沉積在基底上，制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。
電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內精確控制納米顆粒直徑，活性好，產量高。多種靶材同時制備可生成新化合物。金屬/半導體制備同時控制腔體氣氛，可以產生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關單質體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。
主要應用領域
制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮氣氛圍）
制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒
形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）
用熱電材料靶材制備熱電效應薄膜
技術原理
在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上。
真空中的陽極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體。
通過磁場控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。
適用性
APD適用于元素周期表中大部分高導電性金屬，合金以及半導體。所用原料為直徑10mmX17mm長圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。
產品特點
1. 系統(tǒng)可以通過調節(jié)放電電容選擇納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內。 2. 只要靶材是導電材料，系統(tǒng)就可以將其等離子體化。（電阻率小于0.01ohm.cm） 3. 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產生超納米微晶鉆石。 4. 用該系統(tǒng)制備的活性催化劑效果優(yōu)于濕法制備。 5. Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。 | APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜 |
系統(tǒng)參數
1. 真空腔尺寸：400X400X300長寬高 2. 抽空系統(tǒng)：分子泵450L/s 3. 電弧等離子體源:標配一個，*多3個 4. 沉積氣壓：真空或者低氣壓氣體（N2， H2，O2，Ar） 5. 靶材：導電材料，外徑10mm，長17mm 6. 靶材電阻率：小于0.01歐姆厘米 7. 電容：360uF X5 （可選） 8. 脈沖速度：1，2，3，4，5 Pulse/s 9. 操作界面：觸摸屏 10. 放電電壓：70V-400V （1800uF下**150V） APD-P 粉末容器：直徑95mm 高30mm 形成粉末的速度：13-20cc （隨顆粒尺寸和密度變化） 旋轉速度：1-50rpm | |
產品對比
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