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磁光克爾效應系統(tǒng)
磁光克爾效應系統(tǒng)

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μ-Kerr Effect Measurement System

磁光克爾效應系統(tǒng)

優(yōu)勢

1.基于微觀局部磁性分析極向和縱向克爾效應(非同步量測)

2.適合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜

規(guī)格

測量的方向

Magneto-Optical Kerr Effect(Polar and Longitudinal Kerr Effect)

主要功能

Kerr Loop Measurement

光源

Diode Laser

探測光斑

φ2-5μm

磁場

Max. ±10kOe (1T)

可選

In-Plane Electromagnet

μ-Kerr Effect Measurement and Magnetic Domain Observation System

克爾效應測量和磁疇觀測系統(tǒng)

優(yōu)勢

1微觀測量克爾效應和磁疇觀測

2.適合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜

規(guī)格

測量的方向

Magneto-Optical Kerr Effect (Polar and Longitudinal Kerr Effect)

主要功能

Kerr Loop Measurement and Magnetic Domain Observation

光源

Diode Laser and Mercury Lamp

探測光斑

φ2-5μm

觀察分辨率

1μm (Typ.) with x50 objective lens

磁場

Max. ±10kOe (1T)

可選

Cryostat and others

Polar Kerr Effect Measurement System

極向磁光克爾效應系統(tǒng)

規(guī)格

測量的方向

Magneto-Optical Kerr Effect (Polar Kerr Effect)

主要功能

Kerr Loop Measurement

光源

Diode Laser

探測光斑

φ1mm (Typ.)

磁場

Max. ±20kOe (2T)

Longitudinal Kerr Effect Measurement System

縱向磁光克爾效應設備

規(guī)格

測量的方向

Magneto-Optical Kerr Effect (Longitudinal Kerr Effect)

主要功能

Kerr Loop Measurement

光源

Diode Laser

探測光斑

φ1mm (Typ.)

磁場

Max. ±100 Oe (0.01T)

Faraday Effect Measurement System

法拉第磁光克爾效應設備

規(guī)格

測量的方向

Faraday Effect

主要功能

Faraday Measurement

光源

Diode Laser

探測光斑

φ2mm (Typ.)

法拉第角范圍:

45 degree

磁場

Max. ±10kOe (1T)

Perpendicular Magnetic Anisotropy Analysis

垂直磁各向異性分析

優(yōu)勢

1.磁光克爾效應與機動旋轉(zhuǎn)電磁鐵磁場應用于角度依賴性分析

規(guī)格

測量的方向

Magneto-Optical Kerr Effect

主要功能

Kerr Loop Measurement

光源

Diode Laser

探測光斑

φ1mm (Typ.)

磁場

Max. ±25kOe (2.5T)

磁場旋轉(zhuǎn)范圍

-10-100 degree

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