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常溫霍爾效應(yīng)儀EMT2400
常溫霍爾效應(yīng)儀EMT2400

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EMT2400常溫、77k霍爾效應(yīng)測(cè)試儀

測(cè)量半導(dǎo)體薄膜Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。

樣品尺寸:

Up to 15 mm x 15 mm

Optional for larger size

標(biāo)準(zhǔn)樣品

無(wú)

測(cè)試溫度:

室溫、77k

載流子濃度(cm-3):

遷移率():

0.5 ~ 108 cm2/Volt.sec

電阻率 (?.):

10-3 108

電流源:

±100pA to ±1A

電流分辨率

1.0 μA@50pA; 100.0μA@1nA

**電壓

±210V@±105mA, ±21V@±1.05A (20W)

霍爾電壓范圍:

±5μV to ±200V

輸入電壓范圍:

±5μV to ±200V

磁極間隙:

20mm

均勻度:

< ± 1%

穩(wěn)定性:

0.02%(one year)

磁場(chǎng)強(qiáng)度:

0.75T

升級(jí)變溫霍爾系統(tǒng)

4K~1000K

升級(jí)電磁場(chǎng)

1T, 1.5T, 2T

保修

一年質(zhì)保

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10分

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