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EMT2400常溫、77k霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
測(cè)量半導(dǎo)體薄膜Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。
樣品尺寸: | Up to 15 mm x 15 mm Optional for larger size |
標(biāo)準(zhǔn)樣品 | 無(wú) |
測(cè)試溫度: | 室溫、77k |
載流子濃度(cm-3): | |
遷移率(): | 0.5 ~ 108 cm2/Volt.sec |
電阻率 (?.㎝): | 10-3 ~ 108 |
電流源: | ±100pA to ±1A |
電流分辨率 | 1.0 μA@50pA; 100.0μA@1nA |
**電壓 | ±210V@±105mA, ±21V@±1.05A (20W) |
霍爾電壓范圍: | ±5μV to ±200V |
輸入電壓范圍: | ±5μV to ±200V |
磁極間隙: | 20mm |
均勻度: | < ± 1% |
穩(wěn)定性: | 0.02%(one year) |
磁場(chǎng)強(qiáng)度: | 0.75T |
升級(jí)變溫霍爾系統(tǒng) | 4K~1000K |
升級(jí)電磁場(chǎng) | 1T, 1.5T, 2T |
保修 | 一年質(zhì)保 |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!