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| 1. | 設(shè)備名稱： | 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 |
| 2. | 功能描述： | 測(cè)量半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù) |
| 3. | 設(shè)備明細(xì)： | |
| 3-1 | 測(cè)試范圍： | Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù) |
| 3-2 | 磁場(chǎng)： | |
| 3-2-1 | 磁場(chǎng)強(qiáng)度： | 0.5T 電磁體 （0.5T 永磁體 / 1.4T 電磁體 兩種磁場(chǎng)可選） |
| 3-2-2 | 磁場(chǎng)類型： | 電磁體 |
| 3-2-3 | 磁場(chǎng)均勻性： | 磁場(chǎng)不均勻性＜±1 % |
| 3-3 | 測(cè)試樣品： | |
| 3-3-1 | 樣品測(cè)試倉： | 全封閉、帶玻璃窗口 |
| 3-4 | 溫 度： | |
| 3-4-1 | 溫度區(qū)域： | 80K ~730K |
| 3-4-2 | 溫控精度： | 0.1K |
| 3-4-3 | 溫控穩(wěn)定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 電阻率范圍： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 電阻范圍： | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 載流子濃度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 遷移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 輸入電流： | |
| 3-9-1 | 電流范圍： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 電流精度： | 2% |
| 3-10 | 輸入電壓： | |
| 3-10-1 | 電壓范圍： | ±2.5V，*小可測(cè)到6×10-6V |
| 3-10-2 | 電壓分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 電壓精度： | 2% |
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