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低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備( LPCVD)
低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備( LPCVD)

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備( LPCVD)

品牌

艾科威

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無(wú)
湖南艾科威半導(dǎo)體裝備有限公司

會(huì)員

|

第2年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
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    -
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設(shè)備特點(diǎn)

●溫度控制采用串級(jí)控制方式,對(duì)基片實(shí)際溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)智能控制。

●裝載采用SiC懸臂槳,避免了與工藝管磨擦產(chǎn)生粉塵。

●反應(yīng)氣體分子送氣和族射送氣,避免氣相反應(yīng)產(chǎn)生粉塵和改善均勻性。

●工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制,提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。

 

技術(shù)指標(biāo)

●基片尺寸:4,6,8英寸圓片

●工作溫度:500~900℃

●工藝管路:1~3管

●恒溫區(qū)長(zhǎng)度:400mm~800mm

●控溫精度:±0.5℃

●極限真空度:<1Pa

●膜厚均勻性:Si3N4:±3%; Poly-Si:±4%; TEOS-SiO2:±3%

 

應(yīng)用范圍

  用于半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子等行業(yè)氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制備

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10分

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10分

易用性

10分

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