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離子束刻蝕機品牌
艾科威產(chǎn)地
湖南樣本
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設(shè)備特點
●工件臺:圓周旋轉(zhuǎn)或者掃描運動,刻蝕角度可調(diào),刻蝕均勻性高,兼容刻蝕和拋光功能
●工件臺采用水冷,確保晶片低溫刻蝕
●可配置等離子體中和槍,確保晶片表面無電荷積累
●可配置法拉第測束裝置,確保工藝參數(shù)的可重復(fù)
●真空系統(tǒng)分子泵/低溫泵可選
技術(shù)指標
●工件臺
適用晶片尺寸:4"~8",兼容不規(guī)則方片
圓周旋轉(zhuǎn)/往復(fù)掃描運動
●離子源:考夫曼離子源
離子束能量:0eV~1000eV連續(xù)可調(diào)
束流 :**200mA (圓形)或**300mA (條形)
●刻蝕均勻性 :片內(nèi)±5%,片間±3%
應(yīng)用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除,尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕,如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr等
暫無數(shù)據(jù)!