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蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率,能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺(tái)中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像,提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野,可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù),使FESEM初學(xué)者也能快速掌握.
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無論是資深用戶還是初學(xué)者,GeminiSEM 300將讓您體驗(yàn)到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行極大視野范圍成像的樂趣,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實(shí)現(xiàn)。
得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能,可實(shí)現(xiàn)快速、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像;
創(chuàng)新設(shè)計(jì)的高分辨率電子槍模式,為對磁性樣品、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;
蔡司獨(dú)樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像;
NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度、高分辨成像。
如今,掃描電子顯微鏡(SEM)在低電壓下的高分辨成像能力,已成為其在各項(xiàng)應(yīng)用領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)配置。
低電壓下的高分辨率成像能力,在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色:
電子束敏感樣品
不導(dǎo)電樣品
獲取樣品極表面的真實(shí)形貌信息
Gemini的革新電子光學(xué)設(shè)計(jì),應(yīng)用高分辨率電子槍模式、以及Tandem decel樣品臺(tái)減速技術(shù)(選配),有效提高了在低電壓時(shí)的信號采集效率和圖像襯度。
高分辨率電子槍模式:
縮小30%的出射電子束能量展寬,有效地降低像差;
獲得更小的束斑。
Tandem decel樣品臺(tái)減速技術(shù),進(jìn)一步提高對適用樣品在低電壓甚至極低電壓下的分辨率:
Tandem decel減速技術(shù)將鏡筒內(nèi)減速和樣品臺(tái)偏壓減速技術(shù)相結(jié)合,有效地實(shí)現(xiàn)低著陸電壓;
使用1 kV及以下更低電壓時(shí),鏡筒內(nèi)背散射探測器的檢測效率獲得更好地增強(qiáng),低電壓下的分辨率得到進(jìn)一步提高。
對適用的樣品可以加載高達(dá)-5 kV的樣品臺(tái)偏壓,在低電壓下獲得更高質(zhì)量的圖片
優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;
提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。
技術(shù)參數(shù):
基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 300 | ||
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熱場發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
探針電流 | 3 pA - 20 nA | ||
(100 nA配置可選) | |||
存儲(chǔ)分辨率 | **達(dá)32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 12 – 2,000,000 | ||
標(biāo)配探測器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器 | ||
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
可選配的 項(xiàng)目 | |||
NanoVP可變壓力模式 | |||
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中) | |||
局部電荷中和器 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器 環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4) 角度選擇背散射探測器 EDS能譜儀 EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
可訂制特殊功能樣品臺(tái) | |||
環(huán)形背散射電子探測器 | |||
陰極射線熒光探測器 |
暫無數(shù)據(jù)!