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蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性,為您在材料科學研究、生命科學研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像,提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野,可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù),使FESEM初學者也能快速掌握.
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無論是資深用戶還是初學者,GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進行極大視野范圍成像的樂趣,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現(xiàn)。
得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能,可實現(xiàn)快速、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像;
創(chuàng)新設(shè)計的高分辨率電子槍模式,為對磁性樣品、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;
蔡司獨樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像;
NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進行高靈敏度、高分辨成像。
如今,掃描電子顯微鏡(SEM)在低電壓下的高分辨成像能力,已成為其在各項應(yīng)用領(lǐng)域中的標準配置。
低電壓下的高分辨率成像能力,在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色:
電子束敏感樣品
不導(dǎo)電樣品
獲取樣品極表面的真實形貌信息
Gemini的革新電子光學設(shè)計,應(yīng)用高分辨率電子槍模式、以及Tandem decel樣品臺減速技術(shù)(選配),有效提高了在低電壓時的信號采集效率和圖像襯度。
高分辨率電子槍模式:
縮小30%的出射電子束能量展寬,有效地降低像差;
獲得更小的束斑。
Tandem decel樣品臺減速技術(shù),進一步提高對適用樣品在低電壓甚至極低電壓下的分辨率:
Tandem decel減速技術(shù)將鏡筒內(nèi)減速和樣品臺偏壓減速技術(shù)相結(jié)合,有效地實現(xiàn)低著陸電壓;
使用1 kV及以下更低電壓時,鏡筒內(nèi)背散射探測器的檢測效率獲得更好地增強,低電壓下的分辨率得到進一步提高。
對適用的樣品可以加載高達-5 kV的樣品臺偏壓,在低電壓下獲得更高質(zhì)量的圖片
優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;
提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。
技術(shù)參數(shù):
基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 300 | ||
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熱場發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
探針電流 | 3 pA - 20 nA | ||
(100 nA配置可選) | |||
存儲分辨率 | **達32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 12 – 2,000,000 | ||
標配探測器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器 | ||
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
可選配的 項目 | |||
NanoVP可變壓力模式 | |||
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中) | |||
局部電荷中和器 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器 環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4) 角度選擇背散射探測器 EDS能譜儀 EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
可訂制特殊功能樣品臺 | |||
環(huán)形背散射電子探測器 | |||
陰極射線熒光探測器 |
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