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6英寸SiC導(dǎo)電型襯底晶錠品牌
世紀(jì)金芯產(chǎn)地
安徽樣本
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6英寸SiC導(dǎo)電型襯底晶錠規(guī)格書(shū) | ||
項(xiàng)目 | 性能 | 參數(shù) |
晶體參數(shù) |
表面晶向 Surface orientation |
4.0° toward [11-20]± 0.5° |
4H晶型面積 areas |
100% | |
邊緣多晶 Edge polycrystal |
無(wú) | |
機(jī)械參數(shù) | 直徑(mm) Diameter | 150±0.1 |
參考面方向 Primary flat orientation |
<11-20>±5.0° | |
參考面長(zhǎng)度(mm) Primary flat length |
47.5±1.5 | |
電學(xué)參數(shù) | 電阻率 (2 · cm) Resistivity | 0.01-0.03 |
摻雜劑 Dopant | N型摻氮 | |
缺陷參數(shù) | 微管密度(個(gè)/cm2) Micropipe Density | ≤0.5 |
基平面位錯(cuò)BPD(個(gè)/cm2) | ≤7000 | |
表面質(zhì)量 | 裂紋 Cracks | 無(wú) |
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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