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進口硒化鍺納米片分散液GeSe品牌
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產(chǎn)品說明書
本產(chǎn)品含有Gese在異丙醇溶液中的單層和幾層厚片。合成了純度為99.9995%的Gese晶體，并通過超聲處理將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級化學品)中。由于原材料(合成GeSe晶體)是高度結晶的，因此超聲波處理分層GeSe層產(chǎn)生懸浮在丙酮溶液中的高度結晶的GeSe單層和少數(shù)層。Ge se納米材料的結晶性已通過電子能譜(EDAX)得到證實。拉曼光譜(半高寬<5厘米)，以及掃描電子顯微鏡(SEM)測量。沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um，厚度從IL到10s層。
解決方案類型:默認情況下，美國2D半導體公司將提供在異丙醇中懸浮的GeSe薄片，因為其良好的分散性、穩(wěn)定性和高性能。然而，如果您的研究需要其他溶劑，請與我們聯(lián)系，了解更多細節(jié)和產(chǎn)品交付時間表。
溶液濃度:為了降低運輸成本，簡化海關協(xié)議/邊檢流程，我們運輸過飽和的2D溶液(根據(jù)2D層類型的不同，約為80-120毫克/升)。然而，可以通過簡單且經(jīng)濟高效的自旋鑄造工藝稀釋過飽和溶液，以產(chǎn)生250-500mL 的溶液,在所需的襯底上沉積2D層。
產(chǎn)品技術參數(shù):
| 產(chǎn)品名稱 | 進口硒化鍺納米片分散液GeSe |
| 貨號 | RDB-FSY-015 |
| 溶液特性 | 過飽和(~250mg/L)鍺硒單層異丙醇溶液。瓶測量2mL，稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
| 材科性能 | 各向異性半導體 |
| 品體結構 | 六角形的 |
| 單元電池參數(shù) | a=0.386納米，b=0.444納米，c=1.081納米，a=B=y-90 |
| 合成方法 | 超聲波剝離合成GeSe晶體液相選擇:如果需要，可提供電化學剝離GeSe溶液 |
產(chǎn)品規(guī)格：
0.25mg/ml-濃度2ml-IPA
0.025mg/ml-濃度20mlIPA
進口硒化鍺納米片分散液GeSe:
Raman: XRD:
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