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進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
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液體有效物質(zhì)含量：
-執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：
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產(chǎn)品說明書
本品以異丙醇為溶劑，含有Ges單層和多層厚片。合成了純度為99.9995%的Ges晶體，并將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級(jí)化學(xué)品)中。由于起始材料(合成Ges晶體)是高度結(jié)晶的，超聲波處理以分層Ges層的產(chǎn)率很高。鍺硒晶體單層和多層懸浮于異丙醇溶液中。Ge se納米材料的結(jié)晶性已通過電子能譜(EDAX)得到證實(shí)。拉曼光譜(半高寬<5cm-')和掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)量。 沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um，厚度從1L到10s層。
解決方案類型:默認(rèn)情況下，2DsemiconductorsUSA將提供Ges懸浮異丙醇片，因?yàn)槠浞稚⑿院?、穩(wěn)定性和高性能。然而，如果您的研究需要其他溶劑，請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多詳情并安排產(chǎn)品交付。
溶液濃度:為了降低運(yùn)輸成本，簡化海關(guān)協(xié)議/邊境檢查流程，我們運(yùn)輸過飽和的2D溶液(根據(jù)2D層的類型，約為~80-120 mg/L)。然而，可以通過簡單且經(jīng)濟(jì)高效的自旋鑄造工藝稀釋過飽和溶液，以產(chǎn)生250-500mL 的溶液，在所需的襯底上沉積2D層。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
| 產(chǎn)品名稱 | 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS |
| 貨號(hào) | RDB-FSY-013 |
| 應(yīng)用 | 電化學(xué)能儲(chǔ)，電化學(xué)催化，器件，生物學(xué)研究等應(yīng)用 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 六邊形 |
| 合成方法 | 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要，可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。 |
| 材料性能 | 各向異性半導(dǎo)體 |
| 溶質(zhì)特征 | 在異丙醇中過飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。 瓶測(cè)量2mL，稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
產(chǎn)品規(guī)格：
C0.25mg/ml濃度 2ml IPA
C0.25mg/ml濃度20ml IPA
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
| 產(chǎn)品名稱 | 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS |
| 貨號(hào) | RDB-FSY-013 |
| 應(yīng)用 | 電化學(xué)能儲(chǔ)，電化學(xué)催化，器件，生物學(xué)研究等應(yīng)用 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 六邊形 |
| 合成方法 | 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要，可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。 |
| 材料性能 | 各向異性半導(dǎo)體 |
| 溶質(zhì)特征 | 在異丙醇中過飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。 瓶測(cè)量2mL，稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS照片:
XRD: SEM:
Raman: 從GeS晶體收集的光致發(fā)光數(shù)據(jù):
暫無數(shù)據(jù)！
高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結(jié)構(gòu)，
進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS的工作原理介紹？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS的使用方法？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS多少錢一臺(tái)？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS使用的注意事項(xiàng)進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS的說明書有嗎？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS的操作規(guī)程有嗎？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS有現(xiàn)貨嗎？進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS包安裝嗎？
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