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CVD石墨烯生長(zhǎng)爐專(zhuān)門(mén)針對(duì)于用在金屬箔上生長(zhǎng)薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時(shí)把金屬箔附在內(nèi)管上。其**工作溫度可以達(dá)到1200℃，專(zhuān)門(mén)針對(duì)于用CVD化學(xué)氣相沉積方法在金屬箔上生長(zhǎng)薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽(yáng)能電池的電極材料和電池電極材料等。

石墨烯生長(zhǎng)爐由HTTF1200真空管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，**溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。

石墨烯生長(zhǎng)爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))，是專(zhuān)門(mén)為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線(xiàn)、石墨烯的生長(zhǎng)。

HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。

真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線(xiàn)電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái)，隨時(shí)可以調(diào)出。

石墨烯生長(zhǎng)爐標(biāo)準(zhǔn)配件：

質(zhì)子混氣系統(tǒng)1臺(tái)、雙旋機(jī)械泵1臺(tái)、水冷系統(tǒng)1臺(tái)、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對(duì)、高溫手套1副、剛玉坩堝2個(gè)、說(shuō)明書(shū)1份.