直徑

50.8 mm

76.2mm

100mm

厚度

400μm

450μm

450μm

端面晶向

（0001） ± 0.2°Ga face

斜切角（C偏M）

0.5°C-plane off angle toward M-axis

斜切角（C偏A）

0.0°C-plane off angle toward A-axis

主定位邊晶向

M-plane (10-10) ± 2.0?

主定位邊長(zhǎng)度

16mm

22mm

32mm

次定位邊晶向

Ga face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0?

次定位邊長(zhǎng)度

8mm

11mm

18mm

正面狀態(tài)

≤ 0.3 nm(10μm ×10μm)

反面狀態(tài)

Polished; Etched

鐳刻碼面

Back side：N-Face

總厚度偏差TTV

≤15μm

≤25μm

≤30μm

彎曲度BOW

≤20μm

≤30μm

≤40μm

翹曲度WARP

≤30μm

≤45μm

≤60μm

邊緣去除

≤5 mm

電學(xué)參數(shù)

摻雜元素

電阻率

/

Semi-Insulating (Carbon)

≥1E8 ohm-cm

/

N-type (Silicon)

≤0.02 ohm-cm

/

UID（Undoped）

≤0.2 ohm-cm

/

晶體結(jié)構(gòu)

六方晶體

禁帶寬度(eV)

3.45eV

熔點(diǎn)（℃）

2400℃

莫氏硬度(mohs)

9.5

熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)

1.3W·cm^-1·℃^-1

熱膨脹系數(shù)(℃^-1)

α_a=5.6×10^-6
α_c=3.2×10^-6

晶格常數(shù)(nm)

a=0.3189
c=0.5185

電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

900

擊穿電場(chǎng)(MV·cm^-1)

4.9

JFM指數(shù)（power）

790

BFM指數(shù)(SW)

910

BHFM指數(shù)(RF)

100