參考價(jià)格
面議型號(hào)
H-Sorb 2600T品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無誤差率:
/分辨率:
/重現(xiàn)性:
重復(fù)性誤差小于3%分散方式:
/測(cè)量時(shí)間:
/測(cè)量范圍:
常溫--600度 200Bar看了PCT氫氣吸附儀的用戶又看了
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PCT氫氣吸附儀
測(cè)試方法:靜態(tài)容量法,高溫高壓氣體吸附
主機(jī)功能:常溫至500℃區(qū)間可選任意溫度的吸附及脫附等溫線測(cè)定,吉布斯超臨界吸附測(cè)定
數(shù)據(jù)處理:Langmuir模型回歸等溫線,Langmuir**吸附常數(shù)L及吸附壓力常數(shù)B參量測(cè)定;Langmuir修正模型Loading-ratio Correlation(LCR)等溫線回歸;Ono-Kondo(OK) Lattice 晶格模型等溫線回歸;軟件集成不同壓力及不同溫度下,常用吸附氣體密度及氣液相平衡高精度計(jì)算功能
測(cè)定范圍:可進(jìn)行常壓至**200Bar壓力范圍內(nèi)連續(xù)吸附及脫附測(cè)定
測(cè)量精度:重復(fù)性誤差小于3%
溫度范圍:常溫-500℃,控溫精度0.1℃
樣品數(shù)量:同時(shí)進(jìn)行2樣品分析及2樣品脫氣處理,全金屬不銹鋼微焊樣品管,軟件集成溫度PID調(diào)節(jié)功能
壓力精度:進(jìn)口高精度壓力傳感器,精度達(dá)0.05% FS,長(zhǎng)期使用穩(wěn)定性0.025%FS
極限真空:4x10-2Pa(3x10-4Torr),分子泵系統(tǒng)(1x10-6 Pa)可選配
測(cè)試氣體:高純N2,CO2,(99.999%)或其它(按需選擇如Ar,Kr,H2,CH4等)
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗干擾能力強(qiáng)
儀器規(guī)格: 尺寸:長(zhǎng)70×寬70×高85(CM);重量:60公斤;電壓:交流220V;電流:5A
全自動(dòng)高溫高壓巖心氣體吸附測(cè)試裝置主要特點(diǎn):
控制系統(tǒng):采用進(jìn)口VCR接口高壓氣動(dòng)閥,可實(shí)現(xiàn)200Bar壓力范圍內(nèi)的自動(dòng)通斷控制,密封性能達(dá)1x10-10Pa.m3/s,使用壽命達(dá)500百萬次;采用可編程控制器控制系統(tǒng),高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命;
測(cè)試操控:通過測(cè)試軟件界面設(shè)定相關(guān)參量,實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化無人值守式運(yùn)行,可實(shí)現(xiàn)夜間自動(dòng)測(cè)試; H-Sorb模式可按需精確控制充氣壓力點(diǎn),獲得理想數(shù)據(jù)點(diǎn);
管路系統(tǒng):進(jìn)口316L不銹鋼厚壁管路,微焊工藝的主管路密封連接,可有效降低死體積空間,提高測(cè)試精度;全金屬VCR連接,可實(shí)現(xiàn)安全可靠,便于安裝或拆卸的管路快速連接;
安全措施:**的H-Sorb模式漸進(jìn)式充氣和排氣技術(shù),可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化充氣和排氣,安全可靠,消除人為操作高壓氣體可能帶來的危險(xiǎn),并可減少大壓差對(duì)壓力傳感器的沖擊可能帶來的損害.
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
4月1日,由湖南大學(xué)分析測(cè)試中心與國儀量子聯(lián)合主辦,深圳速普儀器有限公司、長(zhǎng)沙凱普樂科技有限責(zé)任公司協(xié)辦的“國儀電鏡論壇暨湖南大學(xué)電子顯微技術(shù)交流會(huì)”在湖南大學(xué)分析測(cè)試中心成功舉行。本次會(huì)議吸引了湖南
引言 為更好地激勵(lì)在科研領(lǐng)域辛勤探索、努力拼搏的科研工作者,同時(shí)助力光探測(cè)磁共振事業(yè)發(fā)展,國儀量子決定對(duì)使用本公司ODMR系列產(chǎn)品,發(fā)表高水平學(xué)術(shù)文章的科研工作者給予現(xiàn)金獎(jiǎng)勵(lì)。2025年OD
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對(duì)芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利