中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心(簡稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室的研究人員們經(jīng)過近兩年的努力,首次生長出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶!若要將碳化硅單晶厚度顯著提升[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈