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P摻雜氧化物

推薦原位芯片氮化硅膜窗口為武漢理工大學(xué)新研究提供助力

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日,武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程國(guó)際化示范學(xué)院/材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室麥立強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學(xué)活化過(guò)程中電導(dǎo)的連續(xù)演化,研究并證實(shí)了新形成的氧化物與P-O基團(tuán)之間的誘導(dǎo)電子耦合[更多]

資訊 武漢理工大學(xué)麥立強(qiáng)教授P摻雜氧化物氮化硅芯片
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