中國粉體網(wǎng)訊 硅負(fù)極具有3579mAh g-1的高理論比容量,但在鋰化/去鋰化過程中巨大的體積變化(約300%)會導(dǎo)致材料結(jié)構(gòu)破壞,表現(xiàn)出低功率密度和較差的循環(huán)穩(wěn)定性。同時,硅電極表面上的SEI脆弱且不穩(wěn)定,無法承受巨大體積[更多]
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