中國粉體網(wǎng)訊 SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點(diǎn),特別適合于制造高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件,是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中較有前景的材料之一。碳化硅的物理化學(xué)性能SiC晶體材料的發(fā)展歷史已有[更多]
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