中國粉體網(wǎng)訊 由于氮化鎵半導(dǎo)體在低功耗、小尺寸等方面具有獨特的優(yōu)勢,近年來在功率器件市場大受歡迎。無論是在功率,還是RF應(yīng)用領(lǐng)域,它都代表著高功率和高性能應(yīng)用場景的未來,將在很大程度上替代砷化鎵和LDMOS。然而,其居高不下[更多]
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