推薦碳化硅、氮化鎵靠邊站，最佳半導(dǎo)體材料出現(xiàn)了？

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)最新一期《科學(xué)》雜志，來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)表明，一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導(dǎo)體的兩個(gè)限制：為電子和空穴提供很高的遷移率，并具有良好的導(dǎo)熱性能。研究人員[更多]