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納米電阻效應(yīng)

推薦我國陰離子固溶技術(shù)實(shí)現(xiàn)二維納米材料最高負(fù)磁電阻效應(yīng)

中國粉體網(wǎng)10月17日訊 日前,中科大謝毅院士團(tuán)隊、吳長征特任教授課題組與曾曉成教授及中科院強(qiáng)磁場中心研究組合作,通過陰離子固溶技術(shù)實(shí)現(xiàn)目前二維納米材料中最高的負(fù)磁電阻效應(yīng),該現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)有可能推動二維材料在自旋電子器件領(lǐng)域[更多]

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