推薦日本開發(fā)高精度制造半導體SiC的技術(shù)，目標2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

中國粉體網(wǎng)訊 日本名古屋大學的宇治原徹教授等人開發(fā)出利用人工智能(AI)高精度制造新一代半導體使用的碳化硅(SiC)結(jié)晶的方法。這種方法能將結(jié)晶缺陷數(shù)量降至原來百分之一，提高半導體生產(chǎn)的成品率。2021年6月成立的初創(chuàng)企業(yè)計[更多]