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上海巨納科技有限公司
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產(chǎn)品詳情
多功能寬密度等離子體
多功能寬密度等離子體的圖片
參考報(bào)價(jià):
面議
品牌:
上海巨納
關(guān)注度:
1578
樣本:
暫無
型號:
NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD(ICP-LP-PE-CVD)
產(chǎn)地:
上海
信息完整度:
典型用戶:
暫無
誤差率:
*
分辨率:
*
重現(xiàn)性:
*
儀器原理:
其他
分散方式:
*
測量時(shí)間:
*
測量范圍:
詳見內(nèi)容介紹
索取資料及報(bào)價(jià)
產(chǎn)品簡介

多功能寬密度等離子體

巨納集團(tuán)NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD(ICP-LP-PE-CVD)結(jié)合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點(diǎn),可在寬密度工藝范圍(109-1013 cm-3)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體輔助CVD,具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應(yīng)用范圍,是目前功能強(qiáng)大的等離子體CVD系統(tǒng)。

NextCVD 的原創(chuàng)性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統(tǒng)。頻率可調(diào)節(jié),從低頻0.5- 4MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié);電感天線是平板式,可根據(jù)客戶要求改變天線的形狀、大小,從而實(shí)現(xiàn)兩種不同的放電模式:電感放電和電容放電,兩種模式下都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定放電,兩種模式的等離子體特性截然不同,可以實(shí)現(xiàn)不同的功能。

多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)

基片臺可電動旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降

配裝手動高真空插板閥、手動角閥、電腦復(fù)合真空計(jì)

由于采用了超高真空密封技術(shù),極限真空度高,沉積室可進(jìn)入10-5Pa量級,可保證更高的鍍膜純凈度,提高鍍膜質(zhì)量

自動監(jiān)控和保護(hù)功能,包括缺水欠壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)等

配備可開關(guān)觀察窗,方便觀察及取樣品

設(shè)備真空系統(tǒng)采用分子泵+機(jī)械泵真空機(jī)組

采用磁力耦合傳動密封技術(shù)密封運(yùn)動部件

真空規(guī)用金屬規(guī),刀口金屬密封

性能技術(shù)參數(shù)

設(shè)備極限真空度:5.0×10-5Pa(等離子體沉積腔室)。5.0×10-1Pa進(jìn)樣室

高密度等離子體:電子密度高能達(dá)到1013 cm-3

氣體物離化率:1-10%

電感耦合離子體電源發(fā)生器頻率從0.5-4 MHz可調(diào),功率可從0-5000 W調(diào)節(jié)

電感天線有橢圓和圓形兩種,相應(yīng)等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種,相應(yīng)等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種,可根據(jù)用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據(jù)要求進(jìn)行調(diào)節(jié)

供電:~380V三相供電系統(tǒng)(容量7KW),冷卻水循環(huán)量1M3/H,工作環(huán)境溫度10℃~35℃,冷卻水溫度18℃~25℃

設(shè)備占用面積12M2(設(shè)備安裝面積4M×3M)

進(jìn)樣室上方窗口(玻璃橡膠圈密封):¢20cm

沉積室抽氣口在底部,樣品架的兩邊抽氣,有利于薄膜的均勻沉積

設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí)后,真空度≤10Pa

從大氣到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新設(shè)備充干燥氮?dú)?,提高了工作效率

樣品臺可旋轉(zhuǎn),速度:0~25轉(zhuǎn)/分 可控可調(diào)。(樣品臺尺寸¢200mm)

基片尺寸¢6英寸(根據(jù)用戶需要可變)

樣品臺加熱器溫度:室溫~500±1℃。溫度可控可調(diào)

基片**升降距離0~100mm可調(diào)

配備2支¢3英寸磁控靶,其中一支可鍍鐵磁材料,磁控靶可伸縮

磁控濺射靶電源:射頻源 500W、13.56MHz;直流濺射電源,500W

缺水欠壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

光伏行業(yè)(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構(gòu)與刻蝕)

新型二維材料(石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備)

半導(dǎo)體工藝(刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等)

納米材料的生長與納米形貌的刻蝕構(gòu)造

111.jpg

石墨烯氫等離子體可控改性

氬等離子體可控改性:引入空位缺陷

氫等離子體可控改性:引入SP3缺陷



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