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離子束科技之約 | Technoorg Linda CEO András 來訪復(fù)納科技

復(fù)納科技 2023-11-21 | 閱讀：623

Part 1 引言

2023 年 11 月 15 日，Technoorg Linda 首席執(zhí)行官(CEO) András Szigethy 來訪中國，與復(fù)納科技團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了一場深入的交流會議。本次會議交流內(nèi)容聚焦于產(chǎn)品培訓(xùn)、技術(shù)支持、市場推廣、業(yè)務(wù)拓展等關(guān)鍵議題，使雙方更好地理解了彼此的需求和期望，促進(jìn)了雙方合作關(guān)系的深化。

在本次面對面的交流會議中，András 為復(fù)納科技團(tuán)隊(duì)提供了專業(yè)的產(chǎn)品培訓(xùn)和技術(shù)支持，有效地傳遞了產(chǎn)品信息和技術(shù)細(xì)節(jié)。他的到訪不僅加速了團(tuán)隊(duì)對 Technoorg Linda 系列產(chǎn)品的理解，也為復(fù)納科技在中國市場推廣和業(yè)務(wù)拓展開辟了新的機(jī)遇。

Part 2 Technoorg Linda 與復(fù)納科技

關(guān)于 Technoorg Linda

Technoorg Linda 總部位于匈牙利布達(dá)佩斯，由 D. Szigethy, Prof. á. Barna, Prof. N. Kroo 和 Prof. A. M. Prohorov ( 1964 年獲諾貝爾獎) 創(chuàng)建于 1990 年，是一家專注于科學(xué)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備制造的領(lǐng)先企業(yè)。

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Technoorg Linda

總部大樓

Technoorg Linda 致力于研發(fā)和生產(chǎn)高性能的樣品制備設(shè)備，為電子顯微鏡領(lǐng)域的科學(xué)家們提供優(yōu)質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室支持和技術(shù)解決方案。其產(chǎn)品涵蓋了 SEM/TEM/FIB 樣品制備所需的關(guān)鍵設(shè)備，可用于樣品準(zhǔn)備、離子加工和表面精細(xì)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種科學(xué)研究領(lǐng)域，幫助科研人員更好地理解和探索微觀世界的奧秘。

關(guān)于復(fù)納科技

復(fù)納科技創(chuàng)立于 2012 年，一直致力幫助海外頂尖高科技儀器廠商在中國市場搭建完善的服務(wù)與售后體系，助力中國用戶科研創(chuàng)新、工業(yè)升級。作為 Technoorg Linda 在中國市場的獨(dú)家代理商，我們?yōu)榭蛻籼峁┤轿坏漠a(chǎn)品培訓(xùn)、技術(shù)支持和售后服務(wù)。當(dāng)前在國內(nèi)市場專注于引進(jìn)并推廣 SEM/TEM/FIB 樣品制備系列設(shè)備。其中，Gentle Mill 離子精修儀主要用于改善 FIB 處理后的樣品，UniMill 離子減薄儀主要用于透射電鏡(TEM)樣品制備，SEMPrep2 離子研磨儀主要用于掃描電鏡 (SEM)樣品制備。

01.Gentle Mill 離子精修儀

Gentle Mill 離子精修儀專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設(shè)計(jì)。非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。

1.1 產(chǎn)品介紹

Gentle Mill 離子精修儀

FIB 系統(tǒng)主要用于制備 TEM 橫截面樣品薄片。與更傳統(tǒng)的方法相比，F(xiàn)IB 的優(yōu)點(diǎn)包括高通量、高精度、較少優(yōu)先減薄和大的電子透明區(qū)域。然而，F(xiàn)IB 的主要缺點(diǎn)是能量相對較高的 Ga+ 離子會導(dǎo)致受損層（如非晶或注入），該層可能會延伸到材料中數(shù)十納米。因此，F(xiàn)IB 制備的 TEM 樣品不太適合高性能的 (S)TEM、HRTEM、HRSTEM 分析和高空間分辨率的 EELS 和 EDX 研究。

Gentle Mill 離子精修儀使用優(yōu)異的獨(dú)家熱陰極低能離子槍做為離子束源。離子束的低角度、低能量保證了表面損傷和離子束誘導(dǎo)非晶化效應(yīng)的最小化。非常適用于 FIB 樣品的清潔和最終拋光，可無損去除薄片形成過程中 FIB 產(chǎn)生的受損層，也可進(jìn)一步減小樣品厚度。

1.2 離子槍參數(shù)

低能離子槍（固定型）

? 離子能量：100 eV - 2 keV，連續(xù)可調(diào)

? 在 2 keV 離子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

? 離子電流密度：最大 10 mA/cm2

? 離子束流：7 - 80 μA，連續(xù)可調(diào)

1.3 應(yīng)用案例

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圖注：C 面藍(lán)寶石 FIB 薄片，Gentle Mill 的低能離子源有效消除所有非晶層和損壞層。

圖注：上圖為原始 FIB (30 kV) 處理薄片；下圖為經(jīng)過 Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片。Si-SiGe 多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品兩側(cè)均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘，以去除 FIB 薄片制備產(chǎn)生的非晶層。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少。

圖注：GaSb/InAs 超晶格。使用 Gentle Mill 制備樣品：在 2 keV 下減薄直至穿孔，然后在 1 keV 下修整，最后在 300 eV 下精修。

同時，第三代 Gentle Mill 采用簡單便捷的圖形界面，可進(jìn)行全電腦控制。所有切削參數(shù)，包括離子槍設(shè)置、氣流控制與其他參數(shù)（如樣品運(yùn)動和傾斜角度、穿孔檢測）的設(shè)置，都可以存儲或以任意步驟進(jìn)行預(yù)編程。這種全自動功能實(shí)現(xiàn)了在最少的人工干預(yù)下制備高質(zhì)量的樣品的功能。

02.Unimill 離子減薄儀

UniMill 離子減薄儀專為快速地制備具備高減薄率的、高質(zhì)量的 TEM/XTEM 樣品而設(shè)計(jì)。Unimill 既可以使用全新升級的超高能離子槍進(jìn)行快速研磨，也可以使用專用的低能離子槍進(jìn)行最終拋光和精修處理。

2.1 產(chǎn)品介紹

Unimill 離子減薄儀

UniMill 離子減薄儀適用于研究新型材料或探索新型樣品制備方法的用戶，由于設(shè)備具有極高的研磨速率，也非常適合用于低濺射率的材料，如金剛石、藍(lán)寶石等。通過低能離子槍轟擊獲得無人工痕跡樣品，這為技術(shù)科學(xué)和材料研究領(lǐng)域探索合成材料和天然材料的真實(shí)納米結(jié)構(gòu)提供了獨(dú)特的機(jī)會。

2.2 離子槍參數(shù)

超高能離子槍（可選）：

? 離子束能量：高達(dá) 16 keV，連續(xù)可調(diào)

? 離子束電流：高達(dá) 500 μA

高能離子槍（標(biāo)配）：

? 離子束能量：高達(dá) 10 keV，連續(xù)可調(diào)

? 離子束電流：高達(dá) 300 μA

低能離子槍：

? 離子束能量：100 eV - 2 keV，連續(xù)可調(diào)

? 離子束電流：7 - 80 μA

2.3 應(yīng)用案例

001 GaN 平面視角樣品的 TEM 圖像。使用高能離子槍研磨后，樣品通過 300 eV 的低能離子槍進(jìn)行精細(xì)處理。

03. SEMPrep2 離子研磨儀

SEMPrep2 離子研磨儀可配備高能量、低能量兩支離子槍,為傳統(tǒng) SEM 樣品和 EBSD 樣品的最終拋光和精細(xì)處理提供高質(zhì)量解決方案。

3.1 產(chǎn)品介紹

SEMPrep2離子研磨儀

離子研磨儀配備超高能量離子槍，可進(jìn)行快速截面剖削，為半導(dǎo)體工業(yè)、材料科學(xué)、地質(zhì)學(xué)或其他學(xué)科和工業(yè)應(yīng)用提供優(yōu)異的 SEM 樣品剖面。同時，也可用于改善和精細(xì)處理機(jī)械拋光后的 SEM 樣品，并為 EBSD 測量制備無損傷表面。最后，也可配備低能離子槍用于易脆易損傷樣品表面更細(xì)微的溫和處理。

3.2 離子槍參數(shù)

? 全新升級的超高能離子槍：加速電壓高達(dá) 16 keV，加速電壓連續(xù)可調(diào)。

? 專用低能離子槍：100 eV 至 2 keV （可選配）。

3.3 應(yīng)用案例

離子束截面剖削

為 SEM/EBSD 成像和微量分析制備各種材料的高質(zhì)量樣品橫截面。