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500萬以上型號
MAIA3品牌
產(chǎn)地
歐洲樣本
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| 二次電子圖象分辨率 | 0.7 nm (15 keV) | 放大倍數(shù) | 4~1,000,000 x |
| 背散射電子圖像分辨率 | 1.6 nm @ 15 keV | 加速電壓 | 0.2~30 kV |
| 產(chǎn)地屬性 | 歐洲 | 儀器種類 | 場發(fā)射 |
| 價格范圍 | 250萬-300萬 |
TESCAN MAIA3 model 2016
為超高分辨新開發(fā)的電子光學系統(tǒng)
MAIA3 model 2016產(chǎn)品是一款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡，在不同加速電壓下均有著出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有極好的性能，尤其對電子束敏感的半導體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合 研究不導電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品。
主要特點：
TriglavTM——新開發(fā)的超高分辨電子光學鏡筒并配備TriLensTM物鏡及先進的探測系統(tǒng)
超高分辨率物鏡（60度浸沒式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無漏磁分析物鏡，重新設計用于超大視場觀察的中間鏡。
獨特的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合，獲得了**的成像性能
傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設計提供各種工作和顯示模式
全新的EquiPower?技術(shù)進一步提高電子束的穩(wěn)定性
新的肖特基場發(fā)射電子槍能使電子束流高達400nA并能實現(xiàn)電子束能量的快速改變
通過擴展樣品室和專用支架能達到12”晶圓的SEM觀察
專 利的TriBETM技術(shù)具有三個BSE探測器，可以選擇不同角度的信號進行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測器，用于檢測中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。并且這 三個探測器能探測到低于200eV的低能背散射信號，綜合在一起，他們可以提供各種不同襯度的圖像
**的TriSETM技術(shù)具有三個SE探測器，對所有工作模式下采集二次電子信號都進行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供**的形貌襯度
電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）
**的電子束實時追蹤技術(shù)可對電子束實現(xiàn)實時優(yōu)化
擴展的低真空模式樣品室氣壓能達到500Pa，可用于不導電樣品的成像
超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV
浸沒式物鏡系統(tǒng)和無交叉電子束模式結(jié)合在一起，可在低能量下實現(xiàn)超高分辨成像。浸沒式物鏡能在樣品周圍產(chǎn)生強磁場，顯著降低了像差。而無交叉電子束模式則降低了Boersch效應，對電子束進行進一步的優(yōu)化，*終達到1.0nm @1keV的超高分辨率。
低電壓和超低電壓成像
電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式（BDM）， 以及在這個模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下，通過加在樣品臺上的負偏壓使得電子束在作用到樣品表面前 降低能量。*低的著陸電壓可以降低到50eV(在手動控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變，增強了電子鏡筒的性能，因而在低電壓下可 以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導電樣品成像時出現(xiàn)的放電效應，也有利于對那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的 觀察。在這個模式下，可以達到對于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。
應用
MAIA3 model 2016非常適合非導電樣品和電子束敏感樣品的成像，如各種原始狀態(tài)的生物樣品。MAIA3 model 2016能獲得高靈敏的表面形貌，其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個科學技術(shù)領(lǐng)域**的SEM系統(tǒng)選擇。
材料科學
MAIA3 model 2016在低電壓下有著很好的分辨率，對納米材料的表征有著極大的優(yōu)勢。尤其適合各種敏感材料和不導電材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纖維等）。
半導體，光電和太陽能電池
MAIA3 model 2016能被高效地應用于半導體工業(yè)的失效分析中（集成電路，半導體超薄切片檢測，太陽能電池，納米傳感器等）
光刻
擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016在電子束刻蝕領(lǐng)域也是個強大的工具。而且MAIA3 model 2016非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。
生命科學
低電壓下?lián)碛谐叻直媛实腗AIA3 model 2016能不需要鍍導電膜進行樣品在原始狀態(tài)下的觀察。
暫無數(shù)據(jù)！
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