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面議型號
Helios 5 DualBeam FIB品牌
賽默飛世爾科技產(chǎn)地
捷克樣本
暫無探測器：
見參數(shù)加速電壓：
500 V – 30 kV電子槍：
見參數(shù)電子光學放大：
見參數(shù)光學放大：
見參數(shù)分辨率：
0.6 nm@15 keV、1.0 nm@1 keV看了賽默飛（原FEI）Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡的用戶又看了
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新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界**的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設計，可滿足材料科學研究人員和工程師對*廣泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是**挑戰(zhàn)性的樣品。
Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標準：**的材料對比度，*快、*簡單、*精確的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描（APT）以及**質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗的性能基礎上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動或自動工作流程的**運行狀態(tài)。
半導體行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
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| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
| 樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像 | *終樣品制備 (TEM薄片，APT) | STEM 亞納米成像與樣品制備 | ||||
| SEM | 著陸電壓 | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV | |||
分辨率 | 0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV | ||||
| 1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV | |||||
| 1.0 nm@500 eV | ||||||
| STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
| FIB制備過程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
| *終**拋光電壓 | 2 kV | 500 V | ||||
| TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
| 自動化 | 否 | 是 | 是 | |||
| 樣品處理 | 行程 | 110×110 ×65 mm | 110×110 ×65 mm | 150×150 ×10 mm | 100×100 ×20 mm | 100×100×20mm+5軸（S）TEM Compustage |
| 快速進樣器 | 手動 | 自動 | 手動 | 自動 | 自動+自動插入/提取STEM 樣品桿 | |
材料科學行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
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| Helios 5 CX | Helios 5 UX | ||
| 離子光學 | 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒 | |
| 離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
| 加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
| **水平視場寬度 | 在束重合點處為0.9 mm | 在束重合處點為0.7 mm | |
| 離子源壽命 | 1,000 小時 | 1,000 小時 | |
| 兩級差分抽吸 | 兩級差分抽吸 | ||
| 飛行時間校準 | 飛行時間校準 | ||
| 15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
| 電子光學 | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | |
| 磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
| 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | ||
| 電子束分辨率 | **工作距離下 | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
| 0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV | ||
| 1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) | ||
| 0.9 nm @ 1 kV 減速模式* | |||
| 在束流重合點 | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV | |
| 1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS* | 1.2 nm @ 1 kV | ||
| 電子束參數(shù) | 電子束流范圍 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
| 加速電壓范圍 | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV | |
| 著陸電壓 | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV | |
| **水平視場寬度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD | |
| 探測器 | Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
| Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (ICD)* | |||
| Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)* | |||
| 樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD) | |||
| 紅外相機 | |||
| 高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器 (SE)* | |||
| 樣品室內(nèi) Nav-Cam 導航相機* | |||
| 可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)* | |||
| 可伸縮STEM 3+ 探測器* | |||
| 電子束流測量 | |||
| 樣品臺和樣品 | 樣品臺 | 高度靈活的五軸電動樣品臺 | 壓電陶瓷驅(qū)動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺 |
| XY | 110 mm | 150 mm | |
| Z | 65 mm | 10 mm | |
| R | 360° (連續(xù)) | 360° (連續(xù)) | |
| 傾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° | |
| **樣品高度 | 與優(yōu)中心點間隔 85 mm | 與優(yōu)中心點間隔 55 mm | |
| **樣品質(zhì)量 | 樣品臺任意位置 500 g | 樣品臺任意位置 500 g | |
| 0° 傾斜時** 5 kg | |||
| **樣品尺寸 | 直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | 直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | |
| 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | ||
更易于使用：
Helios 5 對所有經(jīng)驗水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓可以從幾個月縮短到幾天，其系統(tǒng)設計可幫助所有操作人員在各種高級應用程序上實現(xiàn)一致、可重復的結(jié)果。
提高了生產(chǎn)率：
Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進自動化功能，增強的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作，顯著提高樣品制備通量。
改善時間和結(jié)果：
Helios
5 DualBeam 引入全新精細圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH （閃調(diào)）技術(shù)。借助 FLASH
技術(shù)，您只需在用戶界面中進行簡單的鼠標操作，系統(tǒng)即可“實時”進行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言，F(xiàn)LASH
技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時間*多縮短 10 倍。
暫無數(shù)據(jù)！
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如何評價SEM圖片的質(zhì)量？這是一個頗為復雜的問題，涉及到主觀因素。SEM圖的解讀需要觀察者根據(jù)自己的經(jīng)驗和知識進行分析和判斷，其中觀察者的主觀偏
掃描電鏡的使用者都不愿意遇到的一大類試樣就是導電不良的樣品，比如聚合物薄膜、玻璃、陶瓷等，由于這些試樣電導率都較低，尤其是玻璃，甚至低于10-10S/m，由此
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移動端
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