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PECVD鍍膜設(shè)備

      PEVCD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)*重要的應(yīng)用之一是沉積微電子器件用絕緣薄膜，在低溫下沉積氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一類的絕緣薄膜，這對(duì)于超大規(guī)模集成芯片的生產(chǎn)是至關(guān)重要的。PECVD的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是能在比熱CVD更低的溫度下沉積。PECVD技術(shù)在250～400度的溫度范圍內(nèi)使氮化硅薄膜的沉積成為可能。PECVD沉積SiO2絕緣層被廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝，*近在光學(xué)纖維的涂層和某些裝飾性涂層方面獲得了應(yīng)用。近年來(lái)，PECVD在摩擦磨損、腐蝕防護(hù)和切削工具涂層應(yīng)用方面獲得了很大進(jìn)展。

	PECVD設(shè)備可制備的薄膜 SiNx SiO2 α-Si Poly-Si GaAs膜 Si:H膜 SiC膜 DLC多晶硅 廣泛應(yīng)用于微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)。
	PECVD沉積設(shè)備參數(shù) 特殊的平板式φ200*H150反應(yīng)室 系統(tǒng)極限真空1*10-5Pa 帶加熱和氣浴噴淋系統(tǒng) 電源：13.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 雙電源 數(shù)字定時(shí)器，精度1秒 數(shù)字溫度控制系統(tǒng) 工藝程序自動(dòng)化 觸摸屏控制、動(dòng)畫實(shí)時(shí)顯示工藝過(guò)程的狀況和提示 質(zhì)量流量計(jì)4個(gè)；氣路4路 ( 可增選 )。 樣品加熱：30～600℃，控溫精度：≤ ±1℃ 強(qiáng)制循環(huán)水冷