參考價格
100-150萬元型號
VCVD品牌
頂立科技產(chǎn)地
湖南樣本
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其他金屬電熱元件：
其他燒結(jié)氣氛：
真空溫控精度：
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立式化學氣相沉積爐（SiC、BN）
產(chǎn)品描述：
立式化學氣相沉積爐（SiC、BN）可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等
應用范圍：
外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等
采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍??；
全密閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
多通道工藝氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
多級高效尾氣處理系統(tǒng)，能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物，環(huán)境友好；
可選配新設計的防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低；
使用工藝氣氛：真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。
| 參數(shù)\型號 | VCVD-0305-SIC | VCVD-0608-SIC | VCVD-0812-SIC | VCVD-1120-SIC | VCVD-1520-SIC |
| 工作區(qū)尺寸D×H（mm） | 300×500 | 600×800 | 800×1200 | 1100×2000 | 1500×2000 |
| **溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 |
| 極限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加熱方式 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整，不作為驗收依據(jù)，具體以技術方案和協(xié)議為準。
結(jié)構形式：臥式-單開門/雙開門；立式-上出料/下出料
爐門鎖緊方式：手動/自動
爐殼材質(zhì)：內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼
保溫材質(zhì)：碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈
加熱器、馬弗材質(zhì)：石墨/CFC/金屬
熱電偶：K/N/C/S分度號
真空泵：機械泵組/耐腐蝕泵組
暫無數(shù)據(jù)！
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4月28日，由石墨邦主辦的2025年第六屆半導體用炭材料技術研討會在長沙召開。頂立科技董事長戴煜博士在會上作“半導體用關鍵涂層材料及熱工裝備技術與應用現(xiàn)狀”主題報告，介紹了公司在半導體關鍵涂層材料及熱
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