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我們的設(shè)備和工藝已通過(guò)充分驗(yàn)證，正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間可達(dá)90%以上，一旦設(shè)備安裝完畢，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場(chǎng)應(yīng)用廣，包括但不限于： MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開(kāi)發(fā)，通過(guò)打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
PlasmaPro 100 ALE 的特點(diǎn):
準(zhǔn)確的刻蝕深度控制；
光滑的刻蝕表面
低損傷工藝
數(shù)字化/循環(huán)式刻蝕工藝——刻蝕相當(dāng)于ALD
高選擇比
能加工**200mm的晶圓
高深寬比（HAR）刻蝕工藝
非常適于刻蝕納米級(jí)薄層
III-V族材料刻蝕工藝
固體激光器InP刻蝕
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
射頻器件低損傷GaN刻蝕
硅Bosch和超低溫刻蝕工藝
類金剛石（DLC）沉積
二氧化硅和石英刻蝕
用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓
高質(zhì)量PECVD沉積的氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
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您是否已飽受核磁送檢排隊(duì)周期長(zhǎng)、結(jié)果反饋不及時(shí)和反應(yīng)情況無(wú)法隨時(shí)掌握的煎熬？您是否也面臨核磁教學(xué)中學(xué)生只能學(xué)習(xí)理論而無(wú)法親自實(shí)操的窘境？現(xiàn)在X-Pulse寬帶臺(tái)式核磁波譜儀可以完全解決上述問(wèn)題，儀器因
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