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◆PLMapping測(cè)量

◆多種激光器可選

◆Mapping掃描速度：優(yōu)于20點(diǎn)/秒

◆空間分辨率：10um（物鏡），50um（透鏡）

◆光譜分辨率：0.1nm@1200g/mm

◆Mapping結(jié)果以3D方式顯示

◆**8吋的樣品測(cè)量

◆晶片精確定位

◆樣品真空吸附

◆可做低溫測(cè)量

◆膜厚測(cè)量

測(cè)試原理：

PL是一種輻射復(fù)合效應(yīng)。在一定波長(zhǎng)光源的激發(fā)下，電子吸收激發(fā)光子的能量，向高能級(jí)躍遷而處于激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的狀態(tài)，會(huì)以輻射復(fù)合的形式發(fā)射光子向低能級(jí)躍遷，這種被發(fā)射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導(dǎo)體材料內(nèi)部，一定的電子能級(jí)躍遷的機(jī)制，也反映了材料的性能及其缺陷。

操作簡(jiǎn)便、全電腦控制

PMEye-3000系列PL Mapping測(cè)量?jī)x，是一款適合于半導(dǎo)體晶片和LED外延片科研、生產(chǎn)和質(zhì)量控制環(huán)節(jié)的儀器；采用整機(jī)設(shè)計(jì)，用戶只需要根據(jù)需要放置合適的檢測(cè)樣品，無(wú)需進(jìn)行復(fù)雜的光路調(diào)整，操作簡(jiǎn)便；所有控制操作均通過(guò)計(jì)算機(jī)來(lái)控制實(shí)現(xiàn)。

全新的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)，采用真空吸附方式對(duì)樣品進(jìn)行固定，防止對(duì)樣品的損傷；可對(duì)常規(guī)尺寸的晶圓樣品進(jìn)行精確定位，提高測(cè)量重復(fù)性。

系統(tǒng)采用直流和交流兩種測(cè)量模式，直流模式用于常規(guī)檢測(cè)，交流模式用于微弱熒光檢測(cè)。

熒光測(cè)量

一般的PL測(cè)量?jī)x只是測(cè)量熒光的波長(zhǎng)和強(qiáng)度。PMEye-3000系列增加對(duì)激光強(qiáng)度的監(jiān)控，并根據(jù)監(jiān)控結(jié)果來(lái)對(duì)熒光測(cè)量進(jìn)行校正。這樣就可以消除激發(fā)光源的不穩(wěn)定帶來(lái)的測(cè)量誤差，也使測(cè)量結(jié)果有可比性。

Mapping功能

PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y電控位移臺(tái)，**可測(cè)量8英寸的晶圓樣品。用戶可以根據(jù)不同的樣品規(guī)格來(lái)設(shè)置掃描區(qū)域及空間分辨率，掃描速度優(yōu)于每秒20個(gè)點(diǎn)，空間分辨率可達(dá)10um（物鏡），50um（透鏡）。掃描結(jié)果以3D方式顯示，以不同的顏色來(lái)表示不同的熒光強(qiáng)度。

激光器

PMEye-3000系列有多種高穩(wěn)定性的激光器可選，系統(tǒng)*多可內(nèi)置2個(gè)激光器和一個(gè)外接激光器，標(biāo)配為1個(gè)激光器。用戶可以根據(jù)測(cè)量對(duì)象來(lái)配置不同的激光器，使PL檢測(cè)更加靈活。

PMEye-3000系列可內(nèi)置的激光器波長(zhǎng)有：266nm，405nm，442nm，532nm、785nm等，外置激光器波長(zhǎng)有：325nm，632.8nm等。

功能強(qiáng)大的軟件

我們具有多年的測(cè)量?jī)x器操作軟件的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉用戶的操作習(xí)慣，這使我們開(kāi)發(fā)的這套PMEye-3000系列操作軟件功能強(qiáng)大且操作簡(jiǎn)便。

PMEye-3000系列操作軟件提供單點(diǎn)PL光譜測(cè)量及顯示，單波長(zhǎng)的X-Y Mapping測(cè)量及顯示，mapping結(jié)果以3D方式顯示。同時(shí)具有多種數(shù)據(jù)處理方式來(lái)對(duì)所測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。

低溫樣品室附件

該附件可實(shí)現(xiàn)樣品在低溫狀態(tài)下的熒光檢測(cè)。

有些樣品在不同的溫度條件下，將呈現(xiàn)不同的熒光效果，這時(shí)就需要對(duì)樣品進(jìn)行低溫制冷。

如圖所示，從圖中我們可以發(fā)現(xiàn)在室溫時(shí)，GaN薄膜的發(fā)光波長(zhǎng)幾乎含蓋整個(gè)可見(jiàn)光范圍，且強(qiáng)度的**峰出現(xiàn)在580nm附近，但整體而言其強(qiáng)度并不強(qiáng)；隨著溫度的降低，發(fā)光強(qiáng)度開(kāi)始慢慢的增加，直到110K時(shí)，我們可以發(fā)現(xiàn)在350nm附近似乎有一個(gè)小峰開(kāi)始出現(xiàn)，且當(dāng)溫度越降越低，這個(gè)小峰強(qiáng)度的增加也越顯著，一直到*低溫25K時(shí)，基本上就只有一個(gè)熒光峰。

GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時(shí)為3.40Ev，換算成波長(zhǎng)為365nm，而我們利用PL系統(tǒng)所測(cè)的GaN薄膜在25K時(shí)在356.6nm附近有一個(gè)峰值，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進(jìn)去，則可以發(fā)現(xiàn)在理論上25K時(shí)GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長(zhǎng)為357.1nm，非?？拷鼘?shí)驗(yàn)所得的356.6nm，因此我們可以推斷這個(gè)發(fā)光現(xiàn)象應(yīng)該就是GaN薄膜的自發(fā)輻射。

性能及功能

探測(cè)器選擇