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產(chǎn)品概述
MProbe UVVisSR薄膜測厚儀大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測量。比如：氧化物，氮化物，光刻膠，高分子聚合物，半導(dǎo)體(硅，單晶硅，多晶硅)，半導(dǎo)體化合物(AlGaAs， InGaAs，CdTe， CIGS)，硬涂層(碳化硅，類金剛石炭)，聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)
該機(jī)大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測量。比如：氧化物，氮化物，光刻膠，高分子聚合物，半導(dǎo)體(硅，單晶硅，多晶硅)，半導(dǎo)體化合物(AlGaAs， InGaAs，CdTe， CIGS)，硬涂層(碳化硅，類金剛石炭)，聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)
測量范圍: 1 nm -50um
波長范圍: 200 nm -1000 nm
MProbe UVVisSR薄膜測厚儀適用于實(shí)時(shí)在線測量，多層測量，非均勻涂層， 軟件包含大量材料庫(超過500材料)，新材料可以很容易的添加，支持多重算法：Cauchy， Tauc-Lorentz， Cody-Lorentz， EMA等。
測量指標(biāo)：薄膜厚度，光學(xué)常數(shù)
界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測量和分析。
實(shí)用的工具：曲線擬合和靈敏度分析，背景和變形校正，連接層和材料，多樣品測量，動(dòng)態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。
（MProble NIR薄膜測厚儀系統(tǒng)示 ）
案例1，73nm SiN氮化硅薄膜的測量
硅晶圓反射率，測量時(shí)間10ms
使用Tauc-Lorentz模型，測量SiN薄膜的n和k值
暫無數(shù)據(jù)！
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