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TESCAN 電鏡質譜 FIB-SEM-TOF-SIMS 聯(lián)用系統(tǒng)

電子顯微分析是材料和生命科學微觀分析中*重要的一環(huán)，而元素分析是其中*重要的表征手段之一，但標準的分析手段如能譜儀和波譜儀存在很多不足，例如因靈敏度不足、空間分辨率較差，無法進行輕元素、微量元素的分析，無法分辨同位素等等，普通的分析手段已不能滿足現(xiàn)階段應用的需求。

TESCAN 提供的解決方案是將飛行時間二次離子質譜與 FIB-SEM 系統(tǒng)集成。這種組合能夠為用戶提供固體材料的 3D 化學表征和分子信息，高離子質量分辨率和高空間分辨率成像等，并可以進行原位 FIB 深度分析。

飛行時間-二次離子質譜（TOF-SIMS）

TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) 是具有極高分辨率的質譜儀，工作原理是用聚焦離子束照射樣品表面，從而在樣品*上層的原子層激發(fā)出二次離子 (SI），再根據(jù)不同質量的二次離子飛行到探測器的時間不同來測定離子質量。

與 EDX 相比，TOF-SIMS 可以實現(xiàn)更好的橫向和縱向分辨率，還可以識別并定量樣品表面層中存在的元素和分子物質，以及具有類似標稱質量的同位素和其他物質等。

系統(tǒng)主要優(yōu)勢：

ü 高靈敏度，Be，B和Li之類的輕元素檢出限可達ppm級

ü 優(yōu)異的空間分辨率，橫向分辨<40nm，縱向分辨率<15 nm

ü 正負離子均可檢測，離子質量分辨率>800

ü 2維和3維快速、高離子質量分辨率和高空間分辨率成像，進行原位FIB深度分析

ü 通過坐標轉移，保證不同儀器分析位置的重合

應用案例：

1. 輕元素及微量元素分析：Li 離子電池中 LI⁺ 面分布分析

2. 通過低電壓和小束流 FIB 逐層減薄，成功區(qū)分出厚度為 2.5 nm 的摻有 0~15% 的 In 元素的 GaN 層

3. 金屬復合材料中微量元素的晶界偏析測定，檢出限可達 ppm 級

4. 對鈾礦石進行初期的同位素分析，快速得到 ²³⁸U 和 ²³⁵U 的分布信息

關于TESCAN

TESCAN發(fā)源于全球**的電鏡制造基地-捷克Brno，是電子顯微鏡及聚焦離子束系統(tǒng)領域全球知名的跨國公司，有超過60年的電子顯微鏡研發(fā)和制造歷史，是掃描電子顯微鏡與拉曼光譜儀聯(lián)用技術、聚焦離子束與飛行時間質譜儀聯(lián)用技術以及氙等離子聚焦離子束技術的開拓者，也是行業(yè)領域的技術***。