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CHIP-NOVA程序升溫原位TEM氣體反應(yīng)系統(tǒng)
CHIP-NOVA程序升溫原位TEM氣體反應(yīng)系統(tǒng)

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廈門(mén)超新芯科技有限公司

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程序升溫原位氣體反應(yīng)系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)的樣品臺(tái)基礎(chǔ)上搭建可視化NONA-LAB和四電極反饋控溫模塊,在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)樣品的氣氛環(huán)境皮米級(jí)高分辨成像和精準(zhǔn)、均勻、安全控溫,溫度精度優(yōu)于±0.1K,**溫度1000℃,**氣壓2000mBar。通過(guò)精確的熱場(chǎng)模擬及獨(dú)特的芯片設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)無(wú)漂移加熱過(guò)程,可在加熱升溫過(guò)程中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀測(cè)成像。原位氣氛反應(yīng)納流控安全管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)納升級(jí)別流體引入,高效精確控制氣體池中的流體的流速流量,*低為10nL/s,引入流體在極其微量級(jí)別,即使在芯片窗體薄膜破裂的情況下,也不會(huì)有大量氣體滲漏,使得電鏡的安全得以保證,實(shí)驗(yàn)不受影響可持續(xù)進(jìn)行。

獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

原子級(jí)分辨率

a.超薄氣夾層(100-200nm

b.超薄氮化硅膜(可達(dá)10nm

溫控精確

a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),控溫準(zhǔn)

b.觀測(cè)區(qū)域全覆蓋,升溫快且均勻

安全性高

a.防腐多路精確控制氣體混合

b.納流控系統(tǒng)防滲漏

系統(tǒng)規(guī)格

溫度范圍RT~1000
氣體模式靜態(tài)或流體
窗口膜厚10nm, 25nm, 50nm
氣體池厚度100~200nm
芯片管路一進(jìn)一出
外部管路1-4進(jìn)1
壓力范圍

0~2000mBar

適用氣氛H2, He, N2, O2, Ar, H2O, CO,CO
溫度精度≥95%
加熱均勻性≥99.5%
加熱電極數(shù)4
(HR)TEM/STEM
(HR)EDS/EELS
適用電鏡FEI, JEOL, Hitachi
適用極靴ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP

應(yīng)用實(shí)例

PbSe納米粒子暴露在少量空氣中形貌變化原位觀測(cè)X. Peng et al., In Situ TEM Study of the Degradation of PbSe Nanocrystals in Air. Chemistry of Materials 31, 190-199 (2019).

售后服務(wù)

1、設(shè)備運(yùn)抵現(xiàn)場(chǎng),我方技術(shù)人員同時(shí)到達(dá),一同開(kāi)箱檢驗(yàn),并提供有關(guān)設(shè)備的搬運(yùn)、倉(cāng)儲(chǔ)、注意事項(xiàng)的技術(shù)咨詢(xún)服務(wù);

2、設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試階段,我方技術(shù)人員到現(xiàn)場(chǎng)協(xié)助安裝調(diào)試,及時(shí)處理安裝過(guò)程中所遇到的問(wèn)題,確保系統(tǒng)成功使用;

3、合同要求提供產(chǎn)品使用、維護(hù)說(shuō)明書(shū),設(shè)備的原理圖、接線(xiàn)圖、施工圖等技術(shù)資料及備品。建立售后跟蹤,及時(shí)了解設(shè)備運(yùn)行情況、接受用戶(hù)的報(bào)修、投訴、以便及時(shí)安排技術(shù)人員解答或趕赴現(xiàn)場(chǎng);

4、加強(qiáng)與用戶(hù)的聯(lián)系,重視用戶(hù)的意見(jiàn),制定各用戶(hù)的質(zhì)量跟蹤信息卡制度,健全用戶(hù)檔案,并且對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行回訪(fǎng),了解設(shè)備的運(yùn)行情況,以確保用戶(hù)長(zhǎng)期安全可靠地使用我公司的設(shè)備。

5、公司儲(chǔ)存充足的零配件,隨時(shí)滿(mǎn)足客戶(hù)單位對(duì)備品備件的要求。

創(chuàng)新點(diǎn)

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用戶(hù)評(píng)論

產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性?xún)r(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
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