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程序升溫原位液體反應(yīng)系統(tǒng)是在標準的樣品臺基礎(chǔ)上搭建四電極反饋控溫的加熱模塊,在透射電鏡中實現(xiàn)樣品的液氛環(huán)境埃米級高分辨成像和精準、均勻、安全控溫,溫度精度優(yōu)于±0.1K,**溫度1000℃。通過精確的熱場模擬及獨特的芯片設(shè)計,實現(xiàn)無漂移加熱過程,可在加熱升溫過程中實現(xiàn)實時觀測成像。原位液氛反應(yīng)納流控安全管理系統(tǒng)實現(xiàn)納升級別流體引入,高效精確控制液體池中的流體的流速流量,*低為0.5nL/s,引入流體在極其微量級別,即使在芯片窗體薄膜破裂的情況下,也不會有大量液體滲漏,使得電鏡的安全得以保證,實驗不受影響可持續(xù)進行。此外,用戶還可以選擇電學模塊,實現(xiàn)電熱外場耦合反應(yīng)。
獨特優(yōu)勢
原子級分辨率
a.超薄液夾層(100-200nm)
b.超薄氮化硅膜(10-50nm)
精確度、靈敏度高
a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),控溫準
b.觀測區(qū)域全覆蓋,升溫快且均勻
c.溫控范圍: RT~1000℃
穩(wěn)定性好
a.科學設(shè)計,漂移率*小化
b.樣品臺與芯片匹配良好,芯片不漂移
系統(tǒng)規(guī)格
溫度范圍 | RT~500℃ |
液體模式 | 靜態(tài)或流體 |
窗口膜厚 | 10nm, 25nm, 50nm |
液體池厚度 | 100~200nm |
芯片管路 | 一進一出 |
溫度精度 | ±0.1K |
加熱均勻性 | ≥99.5% |
加熱電極數(shù) | 4 |
(HR)TEM/STEM | √ |
(HR)EDS/EELS | √ |
漂移率 | <0.5nm/min |
適用電鏡 | FEI, JEOL, Hitachi |
適用極靴 | ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP |
售后服務(wù)
1、設(shè)備運抵現(xiàn)場,我方技術(shù)人員同時到達,一同開箱檢驗,并提供有關(guān)設(shè)備的搬運、倉儲、注意事項的技術(shù)咨詢服務(wù);
2、設(shè)備進行安裝調(diào)試階段,我方技術(shù)人員到現(xiàn)場協(xié)助安裝調(diào)試,及時處理安裝過程中所遇到的問題,確保系統(tǒng)成功使用;
3、合同要求提供產(chǎn)品使用、維護說明書,設(shè)備的原理圖、接線圖、施工圖等技術(shù)資料及備品。建立售后跟蹤,及時了解設(shè)備運行情況、接受用戶的報修、投訴、以便及時安排技術(shù)人員解答或趕赴現(xiàn)場;
4、加強與用戶的聯(lián)系,重視用戶的意見,制定各用戶的質(zhì)量跟蹤信息卡制度,健全用戶檔案,并且對產(chǎn)品進行回訪,了解設(shè)備的運行情況,以確保用戶長期安全可靠地使用我公司的設(shè)備。
5、公司儲存充足的零配件,隨時滿足客戶單位對備品備件的要求。
暫無數(shù)據(jù)!