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CDE resmap 273四探針面掃描電阻率電導(dǎo)率測(cè)試儀
CDE resmap 273四探針面掃描電阻率電導(dǎo)率測(cè)試儀

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上海瞬渺光電技術(shù)有限公司

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Resmap 273

178型的技術(shù)基礎(chǔ)上,ResMap273是半導(dǎo)體行業(yè)首款30毫米桌面四點(diǎn)探針儀。273型擴(kuò)展了ResMap原來(lái)一些產(chǎn)品的性能,實(shí)現(xiàn)了太陽(yáng)能對(duì)210毫米大型襯底的要求。外形小巧,堅(jiān)固耐用,準(zhǔn)確性和重復(fù)性好。

提供NIST標(biāo)準(zhǔn)片6片!

產(chǎn)品特點(diǎn):操作簡(jiǎn)單、快速精確

電阻測(cè)量范圍:1 mΩ/?? - 5 MΩ/??

典型應(yīng)用:非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量;選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片;新型電極設(shè)計(jì),如電鍍銅電阻測(cè)量等

美國(guó)CDE**技術(shù): 可針對(duì)材料(不同材料、軟硬薄膜或離子植入深或淺等條件,對(duì)下針狀況**化。而此功能是可由軟見(jiàn)操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻煩的硬件調(diào)整。

美國(guó)CDE**技術(shù): 可針對(duì)材料(不同材料、軟硬薄膜或離子植入深或淺等條件,對(duì)下針狀況**化。而此功能是可由軟見(jiàn)操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻煩的硬件調(diào)整。

測(cè)試性能指標(biāo):

探針材料 WC

探頭壽命> 500W次

Resmap168,178,273區(qū)別:

四探針?lè)y(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn),它不需要較準(zhǔn);有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針?lè)ㄝ^準(zhǔn)。

與四探針?lè)ㄏ啾?,傳統(tǒng)的二探針?lè)ǜ奖阈?,因?yàn)樗恍枰僮鲀蓚€(gè)探針,但是處理二探針?lè)ǖ玫降臄?shù)據(jù)卻很復(fù)雜。如圖一,電阻兩端有兩個(gè)探針接觸,每個(gè)接觸點(diǎn)既測(cè)量電阻兩端的電流值,也測(cè)量了電阻兩端的電壓值。我們希望確定所測(cè)量的電阻器的電阻值,總電阻值:

RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT;

其中RW是導(dǎo)線電阻,RC是接觸電阻,RDUT是所要測(cè)量的電阻器的電阻,顯然用這種方法不能確定RDUT的值。矯正的辦法就是使用四點(diǎn)接觸法,即四探針?lè)?。如圖二,電流的路徑與圖一中相同,但是測(cè)量電壓使用的是另外兩個(gè)接觸點(diǎn)。盡管電壓計(jì)測(cè)量的電壓也包含了導(dǎo)線電壓和接觸電壓,但由于電壓計(jì)的內(nèi)阻很大,通過(guò)電壓計(jì)的電流非常小,因此,導(dǎo)線電壓與接觸電壓可以忽略不計(jì),測(cè)量的電壓值基本上等于電阻器兩端的電壓值。

四探針?lè)ㄍㄟ^(guò)采用四探針?lè)ㄈ〈结樂(lè)ǎM管電流所走的路徑是一樣的,但由于消除掉了寄生壓降,使得測(cè)量變得精確了。四探針?lè)ㄔ贚ord Kelvin使用之后,變得十分普及,命名為四探針?lè)ā?/span>

成功案例-美國(guó)CDE四探針測(cè)試儀

感謝以下客戶購(gòu)買美國(guó)美國(guó)CDE四探針測(cè)試儀

作為半導(dǎo)體行業(yè)四探針測(cè)試儀測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)之一,購(gòu)買美國(guó)CDE 四探針測(cè)試儀的單位非常多。

*近購(gòu)買用戶

科研客戶:清華大學(xué)天津大學(xué),浙江大學(xué)中山大學(xué)浙江師范大學(xué)?復(fù)旦大學(xué) 北京師范大學(xué) 河北大學(xué)。。。。。。

企業(yè)客戶:上海超日太陽(yáng)能 卡姆丹克太陽(yáng)能南玻光伏榮馬新能源山東潤(rùn)峰電力 江蘇騰暉電力 晶澳太陽(yáng)能海潤(rùn)光伏常州比太蘇州阿特斯西安隆基 高佳太陽(yáng)能江西旭陽(yáng)雷迪 無(wú)錫尚德 武漢珈偉光伏 蘇州中導(dǎo)光電 常州天合。。。。。。

不能一一列舉敬請(qǐng)諒解

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