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薄膜沉積設(shè)備PECVD MVS

MVSystems， Inc. 由曼登博士（Dr. Arun Madan）創(chuàng)建于1989年。

曼登博士曾在英國(guó)丹迪大學(xué)從師于斯皮爾（Walter Spear)教授，是1970年代*早從事非晶硅材料和器件研究的人員之一。

曼登博士在非晶硅薄膜晶體管（TFT)方面進(jìn)行了開(kāi)創(chuàng)性的研究，這是他的博士論文的主要內(nèi)容之一。非晶硅薄膜晶體管現(xiàn)已成為平板顯示器中必不可缺的重要器件。

公司在薄膜半導(dǎo)體技術(shù)和先進(jìn)的高真空半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備方面擁有14項(xiàng)**，包括：

多腔室PECVD沉積系統(tǒng) – 主要產(chǎn)品 ? 用于柔性襯底的Reel-to-reel多室系統(tǒng) - 主要產(chǎn)品

碳熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備 摻氟納米硅（微晶硅）材料

P型寬帶隙非晶硅材料 摻氟二氧化錫絨面透明導(dǎo)電膜（與日本Asahi公司合作）

公司生產(chǎn)制造的80多臺(tái)設(shè)備已銷(xiāo)往全世界23個(gè)國(guó)家和地區(qū)。

公司生產(chǎn)的主要薄膜材料和器件產(chǎn)品包括：

材料

器件

非晶硅（a-Si:H)

薄膜硅太陽(yáng)電池

納米(微晶)硅 (nc-Si)

薄膜晶體管

氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiON)

成像器件

氧化鋅(AZO)，銦錫氧化物(ITO)， 二氧化錫(SnO2)

X光探測(cè)器

MVSystems公司設(shè)計(jì)，制造和提供各類(lèi)單腔室和多腔室薄膜沉積設(shè)備。另外，根據(jù)用戶(hù)的需求，各種

PECVD，HWCVD，和PVD腔室可以單個(gè)制造，也可配備到現(xiàn)有的團(tuán)簇型（星型）或是直線(xiàn)型沉積系。我們公司的工程設(shè)計(jì)部門(mén)盡可能為用戶(hù)著想，以使用戶(hù)們獲取他們*需要的且價(jià)格合適的設(shè)備。

R&D to

Production

可用于研發(fā)和生產(chǎn)

?PECVD

等離子化學(xué)氣相沉積

?HWCVD

熱絲化學(xué)氣相沉積

?Sputter

濺射

?Anneal

退火處理

R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8個(gè)腔室的團(tuán)簇型沉積系統(tǒng)

15.6x15.6cm substrates

襯底尺寸為15.6x15.6cm

Computer controlled

可完全由電腦程序控制操作運(yùn)行

PECVD， HWCVD and Sputter capability

制備方式包括等離子體和熱絲化學(xué)氣相沉積，及濺射

R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 10 port locations

具有10個(gè)腔室的團(tuán)簇型沉積系統(tǒng)

15.6x15.6cm substrate

襯底尺寸為15.6x15.6cm

Computer controlled

可完全由電腦程序控制操作運(yùn)行

PECVD， HWCVD， Sputter capability and in-vacuum characterization module

制備方式包括等離子體和熱絲化學(xué)氣相沉積，以及濺射。另外，該系統(tǒng)還帶有一個(gè)測(cè)試腔， 用于在真空中測(cè)試所制備樣品的光電子性能。

R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8個(gè)腔室的團(tuán)簇型沉積系統(tǒng)

30x40cm substrate

襯底尺寸為30x40cm

Computer controlled

可完全由電腦程序控制操作運(yùn)行

PECVD， HWCVD and Sputter capability 制備方式包括等離子體和熱絲化學(xué)氣相沉積，及濺射。

Silicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar Cells

用于制備多晶硅太陽(yáng)電池的氮化硅涂層沉積設(shè)備

In-Line PECVD system for HIT junctions

用于制備高效異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的直線(xiàn)型等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

Throughput: 18

Reel to Reel Cassette System

Cassette houses flexible material

卷筒用于裝載柔性襯底材料

Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler

制備薄膜時(shí)，卷筒可由真空機(jī)器手從一個(gè)腔室輸送至另一個(gè)腔室

Advantages 此沉積系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)

- Eliminates cross-contamination 在制備多層膜器件時(shí)消除了交互摻雜影響

- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制備薄膜時(shí)，能靈活控制各種運(yùn)轉(zhuǎn)沉積參數(shù)

- Down time reduced， i.e. each chamber can be serviced independently 因每個(gè)腔室可單獨(dú)維護(hù)，減少了停機(jī)非運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)

Reel to Reel Cassette Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8個(gè)腔室的團(tuán)簇型沉積系統(tǒng)

15cm and 30cm webwidth

柔性襯底的寬度可從15cm至30cm

Computer controlled

可完全由電腦程序控制操作運(yùn)行

PECVD， HWCVD and Sputter capability

制備方式包括等離子體和熱絲化學(xué)氣相沉積，及濺射

Amorphous silicon- intrinsic and doped (n+ and p+ type).

非晶硅本征和摻雜(n+ and p+ 型)膜。

Nano (or micro) crystalline silicon (intrinsic and doped)

納米（或者微晶）硅 (本征和摻雜)膜。

Dielectrics (SiNx， SiOx)

介質(zhì)薄膜(如SiNx， SiOx)。

Transparent conducting oxides (ITO， AZO)

透明導(dǎo)電薄膜 (如ITO，AZO)。

Solar cells， TFT’s， imaging and memory devices etc. 太陽(yáng)電池，非晶硅薄膜晶體管，電子成像和存儲(chǔ)器件等。

In-house Cluster Tool

Substrate: 30x40cm

DC， RF， pulsed-RF， VHF